Bedair教授和Nadia El-Masry教授的實驗是將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬，0.5微米的空間間隙。研究人員在實驗影像中發(fā)現(xiàn)，許多缺陷會被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此，他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。
如果沒有這個空隙技術(shù)，每平方厘米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術(shù)后，每平方厘米的缺陷將會降到大約107。Bedair教授表示，“雖然這種技術(shù)將增加一個額外的制造步驟，但它會制造出更高質(zhì)量、更有效的發(fā)光二極管。”
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