電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

一、gb/t2423有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成：1gb/t2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)a:低溫

2gb/t2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)b:高溫

3gb/t2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法

4gb/t2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db:交變濕熱試驗(yàn)方法

5gb/t2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則:沖擊

6gb/t2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞

7gb/t2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)

8gb/t2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed:自由跌落

9gb/t2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb:設(shè)備用恒定濕熱

10gb/t2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則:振動(dòng)(正弦)

11gb/t2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求

12gb/t2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性

13gb/t2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性

14gb/t2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性

15gb/t2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度

16gb/t2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則:長(zhǎng)霉

17gb/t2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka:鹽霧試驗(yàn)方法

18gb/t2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)kb:鹽霧,交變(氯化鈉溶液)

19gb/t2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法

20gb/t2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法

21gb/t2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m:低氣壓試驗(yàn)方法

22gb/t2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)n:溫度變化

23gb/t2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q:密封

24gb/t2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa:模擬地面上的太陽(yáng)輻射

25gb/t2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/am:低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

26gb/t2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bm:高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

27gb/t2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法

28gb/t2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t:錫焊試驗(yàn)方法

29gb/t2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)u:引出端及整體安裝件強(qiáng)度

30gb/t2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬

31gb/t2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法

32gb/t2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法

33gb/t2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法

34gb/t2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法

35gb/t2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/afc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

36gb/t2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

37gb/t2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l:砂塵試驗(yàn)方法

38gb/t2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r:水試驗(yàn)方法

39gb/t2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee:彈跳試驗(yàn)方法

40gb/t2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

41gb/t2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法

42gb/t2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

43gb/t2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(ea)、碰撞(eb)、振動(dòng)(fc和fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(ca)等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則

44gb/t2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg:撞擊彈簧錘

45gb/t2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)z/abdm：氣候順序

46gb/t2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘

47gb/t2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg:聲振

48gb/t2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff:振動(dòng)--時(shí)間歷程法

49gb/t2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe:振動(dòng)--正弦拍頻法

50gb/t2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)

51gb/t2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

二、gb2421-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則

三、gb/t2422-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)術(shù)語(yǔ)

四、gb24241.gb2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則

2.gb/t2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則

3.gb/t2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程長(zhǎng)霉試驗(yàn)導(dǎo)則

4.gb/t2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則

5.gb/t2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則

6.gb/t2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則 [!--empirenews.page--]

7.gb/t2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則

8.gb/t2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分：試驗(yàn)方法太陽(yáng)輻射試驗(yàn)導(dǎo)則

9.gb/t2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則10.gb/t2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則

11.gb/t2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則

12.gb/t2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程模擬儲(chǔ)存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則

13.gb/t2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則

14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則

15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）和振動(dòng)（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則

16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程水試驗(yàn)導(dǎo)則

17.gb/t2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動(dòng)（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則