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高通宣布45納米的3G芯片完成首次呼叫

時間：2007-11-15 14:51:00
關鍵字： 高通    3G芯片    TSMC    高通公司   
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[導讀]美國高通公司(Nasdaq: QCOM)日前宣布已使用以45納米(nm)工藝技術制造的3G芯片完成首次呼叫。作為新一代的CMOS半導體制造技術，45納米技術可提高芯片的速度、降低功耗、提高集成度，并通過增加每片晶圓的裸片數(shù)以降低

美國高通公司(Nasdaq: QCOM)日前宣布已使用以45納米(nm)工藝技術制造的3G芯片完成首次呼叫。作為新一代的CMOS半導體制造技術，45納米技術可提高芯片的速度、降低功耗、提高集成度，并通過增加每片晶圓的裸片數(shù)以降低裸片成本。

此外，高通稱正在開發(fā)40納米工藝技術，將為半導體性能、成本和效率創(chuàng)造更大的優(yōu)勢。

高通此次呼叫使用了臺灣積體電路制造股份有限公司(TSMS，TSE：2330，NYSE：TSM)的首款45納米芯片，TSMC是全球最大的專業(yè)半導體代工廠商。高通CDMA技術集團產(chǎn)品管理高級副總裁史蒂夫•莫倫科夫(Steve Mollenkopf)表示，“這一具有里程碑意義的呼叫表明了我們在為市場提供新一代芯片方面的進展，這種芯片將為用戶提供無與倫比的性能和功能。”

“高通公司采用TSMC的45納米工藝3G芯片實現(xiàn)的首次呼叫成功，是提倡端到端協(xié)作的集成代工模式的最好例證。兩家公司在設計和技術方面的協(xié)作努力讓產(chǎn)品以更快的速度上市。”TSMC第二運營部的資深副總裁劉德音表示，“高通公司出色的設計和TSMC穩(wěn)健的技術和制造能力的組合必將持續(xù)確保未來的進一步成功。”

高通最近推出了低功耗優(yōu)化的45納米工藝技術。這種工藝技術利用先進的浸入式光刻技術和超低k介電層材料，能夠提供極具競爭力的性能、卓越的成本效益、更好的防漏電性和更高的集成度。

來源：搜狐IT

作者：zhaobin

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