MILMEGA有限公司總經(jīng)理 Pat Moore

氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。

　　與現(xiàn)有技術相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結溫操作，這些特點經(jīng)常作為推動其批量生產(chǎn)的重要因素，但在價格、可用性和器件成熟度方面還需加以綜合考量。

　　氮化鎵（GaN）適合的應用有：

1. 無線通信應用　　• LTE（長期演進，0.7到2.6GHz）　　• 3G BTS [基站] (0.8到2.7GHz)　　• Wi-MAX (2.3 to 5GHz)2. 國防應用　　• 雷達　　• 電子對抗3. 數(shù)據(jù)廣播應用　　• 有線電視（CATV）（小于1GHz）　　• 衛(wèi)星通信（13GHz到14GHz）　　• 甚小孔徑終端（VSAT）（12GHz到40GHz）

　　氮化鎵（GaN）器件市場預計在2007年會到達1600萬美元，其中的70%用于研發(fā)項目和技術評估。國防項目占其市場總額的11%，這在很大程度上歸因于美國國防部（DOD）或者美國國防部高級研究計劃局（DARPA）的合同，以及歐洲航天局（ESA）的研發(fā)合同。整體市場有望在2008年翻一番。

　　樂觀人士預計，到2012年，這一市場將增至1.7億美元，主要因為：

• 氮化鎵（GaN）全面進入3G基站市場，取代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）。• 國防市場保持熱度并繼續(xù)為新的氮化鎵（GaN）研發(fā)項目提供資金• Wi-MAX產(chǎn)業(yè)廣泛采用氮化鎵（GaN）技術，隨著2010年LTE網(wǎng)絡推出，這一情況進一步加強。

　　這種預測基于一個錯誤的假設，即橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）技術的發(fā)展停滯不前。在民用市場，橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）在價格和性能上可能會對氮化鎵（GaN）造成強有力的挑戰(zhàn)，例如LTE和CATV市場，如果Wi-MAX繼續(xù)限定在3.5GHz子頻譜上，那么氮化鎵（GaN）在Wi-MAX市場前景黯淡。對于甚小孔徑終端（VSAT）應用，砷化鎵（GaAs）在價格和性能上可能會對氮化鎵（GaN）造成強有力的挑戰(zhàn)。這些因素相結合，可能令2012年氮化鎵（GaN）市場的樂觀預計下降達50%。

　　氮化鎵（GaN）晶體管技術最有可能的長期客戶是國防市場和衛(wèi)星通信市場。這兩個市場目前正在全球資助研發(fā)項目，并且愿意支付額外經(jīng)費，確保氮化鎵（GaN）擁有更成熟的半導體技術，從而獲得可靠的益處。預計國防市場的價值將2012年達到4000萬美元，而衛(wèi)星通信市場的估值在100萬美元。

　　公布的氮化鎵（GaN）器件性能

　　在MTT-S國際微波研討會(IMS 2008)上，許多公司都宣布經(jīng)過證實的性能記錄，作為當今器件基準：

　　這些記錄是：

　　1. RFMD推出了400W、2.9到3.5GHz的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），用于雷達系統(tǒng)中的批量發(fā)射機。該公司宣稱其在200C結溫下的可靠性為1E6小時，特別適合用于替換行波管的固態(tài)設計。

　　2. 東芝推出了一系列50W X頻帶窄帶器件，其工作頻率在8到12GHz的頻帶范圍內(nèi)。東芝還推出了用于衛(wèi)星通信的50W Ku頻帶器件，采用14.0GHz到14.5GHz 的頻帶。東芝宣稱其2010年產(chǎn)品研發(fā)路線圖包括推出一個150W C頻帶器件，一個100W X頻帶器件，一個100W Ku頻帶器件和一個10W Ka頻帶器件（18到 42GHz）。

　　3. 松下宣布針對未來毫米波通信系統(tǒng)的接收機開發(fā)氮化鎵（GaN）集成電路（IC）。已經(jīng)開發(fā)出的放大器IC可在26GHz頻率下達到22dB的增益，在如此之高的頻率上，這個增益值創(chuàng)造了氮化鎵（GaN）類IC的世界記錄。

　　4. CREE公司宣稱實現(xiàn)了最高的漏極效率，即在500MHz到2.5GHz范圍內(nèi)對于90W的器件漏極效率可達55%。

　　來自CREE、Nitronex、RFMD和Eudyna這些關鍵廠商的現(xiàn)成商業(yè)器件性能可靠，并且針對低頻（小于6GHz）的國防應用或窄帶無線通信應用經(jīng)過優(yōu)化。有了適當?shù)慕Y合技術，例如MILMEGA公司使用的技術，它們展現(xiàn)出將來有能力在X頻帶和Ku頻帶建設高功率固態(tài)發(fā)射機結構，類似于目前在L、S和C頻帶使用的技術。

　　供應鏈方面的考慮

　　美國的氮化鎵（GaN）公司，例如Nitronex和RFMD，在研發(fā)和工藝改進方面顯然從巨額的軍費預算投入中獲得了好處。Nitronex現(xiàn)在使用軍費資金解決目前的產(chǎn)能問題，并將這些資金特別用于提高產(chǎn)量。有趣的是Nitronex尚未實現(xiàn)盈利。

　　MILMEGA認為由于國際軍火交易條例（ITAR）的限制，總是很難了解美國功率晶體管技術的當前狀態(tài)，但正是美國開發(fā)出最為合適的器件。

　　我們感興趣的是，作為氮化鎵（GaN）功率晶體管的使用者，作為歐洲的廠商，UMS利用自身與NXP以及其他廠家的關系，形成了氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的獨立來源，用于電子對抗應用中新一代的電源模塊。

　　NXP被公認為對于氮化鎵（GaN）市場的整體前景判斷最為清晰的公司之一。它指出對于世界上僅有的三家射頻氮化鎵（GaN）廠商而言，總會有足夠的業(yè)務。NXP預測，這些業(yè)務將均勻分配至亞洲、美國和歐洲——清晰表明，國家利益在氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中扮演著強有力的角色。