21ic訊 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)今天宣布，針對(duì)目前的無(wú)線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗最低和線性最高的IQ 調(diào)制器。與同類(lèi)產(chǎn)品相比，IDTF1650 可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，降低功耗達(dá) 50%，IM3 失真降低 12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能 LTE 多輸入多輸出(MIMO)無(wú)線通信系統(tǒng)的理想選擇。

在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中，調(diào)制器線性有限且功耗較高，在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對(duì)系統(tǒng)的鄰道泄漏比(ACLR)和功耗預(yù)算帶來(lái)負(fù)面影響。IDTF1650 內(nèi)置Zero-Distortion™ 技術(shù)，消除了這些缺陷，使工程師們能夠在很低功耗 [500 mW] 下獲得很高的OIP2 [60 dBm] 和OIP3 [35 dBm]。

IDT 副總裁兼時(shí)鐘和 RF 部門(mén)總經(jīng)理 Dave Shepard 表示：“IDTF1650 是我們不斷豐富的先進(jìn) RF 器件系列的新成員，將幫助我們的客戶開(kāi)發(fā)領(lǐng)先市場(chǎng)的產(chǎn)品。我們的新低功耗 IQ 調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的最大挑戰(zhàn)，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴(yán)格的功耗和性能預(yù)期。”

通過(guò) IDTF1650 運(yùn)行 MIMO 可節(jié)約高達(dá) 4 瓦功耗，帶來(lái)更好的頻譜性能，并改進(jìn)誤差向量幅度(EVM)。該器件可帶來(lái)超高線性度和 3dB 功耗增益，同時(shí)只增加極少噪音，且能夠直接與主流的 JESD204B 和 DDR DACs 連接。

價(jià)格與供貨

IDTF1650 采用 4x4 mm 24-ld VFQFPN 緊湊封裝。