最新TQPHT09 90 nm pHEMT完全適用于下一代高頻放大器

21ic訊 Qorvo, Inc.日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一種90 nm pHEMT工藝，能夠支持Qorvo的下一代光產(chǎn)品組合。這種新工藝具備Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，非常適合100G+線性應(yīng)用所需的下一代高頻高性能放大器。

TQPHT09在Qorvo位于德克薩斯州里查德遜的業(yè)界領(lǐng)先GaAs工廠制造，也是該公司久負(fù)盛譽(yù)的pHEMT工藝產(chǎn)品組合中的最新產(chǎn)品。Qorvo的TQPHT09為多種新型光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)，包括該公司最先進(jìn)的四通道100G調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸，適合地鐵和長(zhǎng)距離運(yùn)輸應(yīng)用，也非常適合升級(jí)面向線路卡應(yīng)用的100G線性雙通道驅(qū)動(dòng)器。該產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗，提供高度的通道間隔離，采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模塊封裝，具有業(yè)界最小的封裝尺寸。

Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品部總裁James Klein表示：“Qorvo持續(xù)投資開(kāi)發(fā)業(yè)界最具競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，打造適用于下一代產(chǎn)品的同類最佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工藝展示了我們?cè)谔峁┟嫦蚋咚偈袌?chǎng)應(yīng)用的元器件方面處于領(lǐng)先地位，能夠提供客戶期望的質(zhì)量、可靠性和可靠供貨源。”