日本設(shè)備制造商Fujitsu和日本精工株式會社Epson近日宣稱聯(lián)手打造下一代FRAM（鐵電存儲器）。 

雙方經(jīng)協(xié)商，計(jì)劃開發(fā)高整合的下一代FRAM，其面積將只有市場上現(xiàn)有同類產(chǎn)品的1/6。據(jù)悉，將有望于明年上半年完成開發(fā)。 

兩公司將投入他們的主要科技，如FRAM選材處理及小型化技術(shù)等，以盡可能縮短開發(fā)周期。 

Fujitsu和Epson還計(jì)劃開發(fā)對讀寫次數(shù)限制最小的存儲核心處理器。 

公司負(fù)責(zé)人聲稱，近幾年，手持設(shè)備及智能家用設(shè)備已得到了很大程度的普及，因此，對FRAM的呼聲日益高漲。相對于閃存及EEPROM ，FRAM的低功耗、高讀寫速度滿足了廣泛的市場需求。