臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計(jì)第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標(biāo)，這一點(diǎn)非常難能可貴。例如在臺灣島內(nèi)自2004年開始，就半導(dǎo)體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標(biāo)尋找差距?？谔柺恰盀槭裁错n國能，臺灣不能？”

通過分析與比較，臺灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的目標(biāo)是：1) 總產(chǎn)值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。

為什么選擇存儲器作為突破口？

這是一個值得思考的好問題?；仡?0年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設(shè)計(jì)技術(shù)相對簡單且易于擴(kuò)大市場份額等。

韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一。

臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結(jié)果臺灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位。

臺灣在存儲器方面重投資策略未能奏效

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)有個潛規(guī)則，只要舍得投資就有可能成功。例如臺灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達(dá)60％以上。

根據(jù)此理念，臺灣地區(qū)從2004年開始加速存儲器方面的投資。例如從2004至2008年期間，臺灣地區(qū)在存儲器方面的總投資達(dá)300億美元以上，擁有20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，日前臺灣地區(qū)已宣布放棄存儲器追趕策略，而轉(zhuǎn)向固守陣地。臺灣DRAM和三星投資比較，如下圖所示。

臺灣DRAM與三星在投資方面的比較 
 

原因初探

臺灣地區(qū)在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認(rèn)為臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體策略上的一次重大失誤。據(jù)筆者觀察有以下三個主要原因：

首先，臺灣地區(qū)在發(fā)展存儲器業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個趨勢已成為共識，一個是制程轉(zhuǎn)變快，緊跟摩爾定律。由于存儲器的產(chǎn)品設(shè)計(jì)上相對簡單，無多大差異。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產(chǎn)品，在相同工藝制程下，假設(shè)成品率均為85％時，90nm與70nm制程在每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數(shù)量分別為750-1050個及1350-1420個，成本差距達(dá)40％以上。所以目前全球DRAM業(yè)紛紛從70nm制程加快轉(zhuǎn)進(jìn)6x-5xnm制程。另一個是月產(chǎn)能達(dá)15萬片的超級大廠盛行，投資高達(dá)50-80億美元。主要原因是出于運(yùn)營成本的考慮，運(yùn)行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小時無法與IDM廠競爭。當(dāng)產(chǎn)能足夠大時，一來代工廠擔(dān)心未來訂單不足而猶豫擴(kuò)充產(chǎn)能，同時那些IDM廠又擔(dān)心代工廠會與自己爭奪客戶。另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國際近期退出存儲器代工可能也是基于此理。

再有一個原因，臺灣地區(qū)存儲器業(yè)中缺乏自己應(yīng)有的技術(shù)，過多的依賴于技術(shù)轉(zhuǎn)移。例如力晶與爾必達(dá)，茂德與海力士及華亞科與奇夢達(dá)（現(xiàn)在的美光）。沒有自已應(yīng)有的技術(shù)，等于缺乏脊梁。這也是臺灣地區(qū)存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

最后一個原因是全球存儲器的市場未能達(dá)到預(yù)期。而目前幾乎2/3的新建或擴(kuò)充產(chǎn)能集中在存儲器業(yè)中。從市場分析，推動全球存儲器業(yè)再次躍起有如下幾個潛在因素：Vista操作系統(tǒng)的普及、全球服務(wù)器和數(shù)據(jù)處理中心中存儲器的更替以及筆記本和移動多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場并未如預(yù)期那么大，而前幾年的投資開始發(fā)酵，造成供過于求的局面。最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價格的持續(xù)下跌完全超出市場預(yù)期。

臺灣地區(qū)存儲器業(yè)經(jīng)過近5年努力，花費(fèi)300億美元以上的投資，結(jié)果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實(shí)力之強(qiáng)大；另一方面也證明“金錢不是萬能的”，挑戰(zhàn)了半導(dǎo)體業(yè)的潛規(guī)則。

結(jié)語

任何策略不可能簡單地復(fù)制，任何成功都是由多個因素共同促成的。臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實(shí)現(xiàn)。