在美國舉行的SEMI Strategy Symposium（ISS）上，演講者發(fā)表觀點稱，半導體產業(yè)當前面臨著二戰(zhàn)后最惡劣的衰退。 

Global Insight首席經濟學家Nariman Behravesh稱，當前市場低迷可能是近60年來持續(xù)時間最長的一次，GDP下滑也是最深的一次?！?8第四季度和09第一季度連續(xù)兩個季度的下滑幾近歷史記錄，而08年11月和12月薪水減少的幅度描繪了一幅自由落體的畫面?！盉ehravesh說道，他補充道：“09年年中是否能好轉取決于當前適當的刺激措施。”歐洲和日本政府的保守反應可能會延長市場衰期，中國政府宣布的大額注資計劃將為2009年的增長率貢獻兩個百分點。

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U.S. GDP suffered a steep drop in Q4, with massive layoffs adding to the U.S. unemployment rate. (Source: Global Insight)

Gartner半導體制造分析師Bob Johnson就芯片產業(yè)是否已成為無利潤行業(yè)提出了觀點。在相對強勁的2003年至2006年，產業(yè)凈收入為1327億美元，銷售收入為9025億美元，邏輯IDM創(chuàng)造了635億美元的利潤，數模混合芯片制造商獲利123億美元，無晶圓設計公司獲利213億美元，代工廠和封測服務供應商獲利204億美元，由此可見良好的利潤完全是有可能的。

然而，在連續(xù)幾年的低利潤率（小于4%）之后，產業(yè)去年呈現凈虧損，今年這種形式仍將繼續(xù)，Johnson說道。存儲器制造商面臨并購和聯(lián)盟大潮。根據存儲器制造商在尖端技術（55nm）上的獲利數據，Johnson指出存儲器公司“應該投資于最尖端的技術，而不是產能，通過技術提升提高出貨量?！?/P>

超大存儲晶圓廠

VLSI Research公司CEO Dan Hutcheson表示，目前將近60%的產能是90nm及以下節(jié)點，約55%的尖端產能用于DRAM和閃存制造。由于太多的存儲器廠商投資了太多的產能，造成了“撞車”的局面，Hutcheson說道。

VLSI Research估計2008年NAND flash市場為119億美元，Hutcheson稱幾乎都無法支持兩座60億美元的超級大廠，研發(fā)狀況更令人堪憂。

DRAM情況也大同小異，2008年DRAM市場為250億美元，Hutcheson稱為兩座超級大廠提供了空間。目前，DRAM市場由9家競爭廠商分食，大多數廠商的收入小于4億美元，存儲器產業(yè)必須凝練。

在存儲器廠商減少資本支出的情況下，存儲器價格可能繼續(xù)反彈，但半導體設備產業(yè)將為此付出代價，Hutcheson說道。今年年設備收入約為300億美元，明年將反彈至420億美元，2011年將增至520億美元。“接下來的幾年里形勢將非常艱難，”Hutcheson說道，“設備商要學會在低利潤下生存?！?/P>

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Netbooks and pocket computers, which deliver the Internet to mobile users, are a growth market. (Source: Qualcomm)

高端無線器件將是增長的一塊市場，包括4-6英寸便攜式電腦和7-12英寸的上網本所帶來的市場，Qualcomm CDMA Technologies高級副總裁Jim Clifford說道。

智能手機和其他無線手持設備繼續(xù)保持高出貨量，年銷售量將為14億只，去年全尺寸筆記本出貨量約為2.1億個。在高端手機和全尺寸筆記本之間存在著肥沃的市場，那就是便攜式電腦和上網本。