日本半導(dǎo)體制造設(shè)備協(xié)會（SEAJ）公布了關(guān)于日本產(chǎn)半導(dǎo)體制造裝置市場、半導(dǎo)體制造裝置的日本市場規(guī)模以及日本產(chǎn)FPD制造裝置市場的業(yè)績和預(yù)測。從整體來看大幅上調(diào)了2010年1月的發(fā)布內(nèi)容，反映了最近的經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇形勢。其中，半導(dǎo)體制造裝置方面，反映了日本國內(nèi)外半導(dǎo)體廠商新一輪投資速度的不同，可以看出與日本產(chǎn)裝置市場相比，日本市場的復(fù)蘇緩慢。另外，關(guān)于日本產(chǎn)FPD制造裝置市場，預(yù)計(jì)將在FPD廠商設(shè)備投資告一段落的2012年度再次下滑。

2012年度半導(dǎo)體制造裝置市場將繼續(xù)增長

日本產(chǎn)半導(dǎo)體制造裝置市場的情況如下。2009年度為比上年度減少17.9％的6528億日元（2010年1月的預(yù)測為比上年度減少29.2％的5631億日元，以下同），僅出現(xiàn)小幅下滑。這是因?yàn)?009年度第一季度（2009年4～6月）觸底后，市場迅速復(fù)蘇的結(jié)果。關(guān)于今后的預(yù)測，隨著海外大型半導(dǎo)體廠商的大規(guī)模設(shè)備投資，預(yù)計(jì)2010年度的業(yè)績將達(dá)到比上年度增加88.1％的1萬億2277億日元（2010年1月的預(yù)測為7698億日元），2011年度的業(yè)績將達(dá)到比上年度增加15.8％的1萬億4222億日元（2010年1月的預(yù)測為9476億日元），均較2010年1月的預(yù)測值做出了大幅上調(diào)。另外，預(yù)計(jì)此次新追加預(yù)測的2012年度業(yè)績將達(dá)到比上年度增加3.1％的1萬億4660億日元，繼續(xù)保持增長，恢復(fù)至接近2007年度頂峰時(shí)期80％的水平。

關(guān)于半導(dǎo)體制造裝置的日本市場方面，2009年度業(yè)績?yōu)楸壬夏甓葴p少61.7％的2130億日元（2010年1月的預(yù)測為比上年度減少61.7％的2134億日元），與1月的預(yù)測值基本相同。而全球市場，由于經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇，對量產(chǎn)線的再次投資從2009年下半年開始迅速推進(jìn)。在日本國內(nèi)，要么是量產(chǎn)線的整理合并花費(fèi)了時(shí)間，要么是重點(diǎn)放在了對海外基地的投資上，因此尚未全面開始新一輪投資。此次匯總的2009年度業(yè)績也印證了這一點(diǎn)。

今后，預(yù)計(jì)日本國內(nèi)市場的2010年度業(yè)績將達(dá)到比上年度增加91.5％的4079億日元（2010年1月的預(yù)測為2694億日元），2011年度業(yè)績將達(dá)到比上年度增加26.5％的5159億日元（2010年1月的預(yù)測為3363億日元），全面實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇。不過，投資主角是NAND型閃存廠商和DRAM廠商，對邏輯IC廠商則無法抱有太大期望。另外，雖然2012年的業(yè)績將達(dá)到比上年度增加7.5％的5547億日元，但只能恢復(fù)到2007年度頂峰時(shí)期1/2的水平。

日本產(chǎn)FPD制造裝置市場將在2012年度下滑

關(guān)于日本產(chǎn)FPD制造裝置市場方面，2009年度的業(yè)績?yōu)楸壬夏甓葴p少42.6％的2887億日元（2010年1月的預(yù)測為比上年度減少50.3％的2500億日元），比預(yù)測的下滑幅度要小。SEAJ預(yù)測，今后投資將主要集中在韓國、臺灣和中國大陸，市場估計(jì)會復(fù)蘇。日本產(chǎn)FPD制造裝置市場的具體金額如下，2010年度的業(yè)績將達(dá)到比上年度增加31.6％的3800億日元（2010年1月的預(yù)測為3500億日元），2011年度的業(yè)績將達(dá)到比上年度增加10.5％的4200億日元（2010年1月的預(yù)測為4025億日元）。不過，預(yù)計(jì)2012年度市場將再次出現(xiàn)縮小，業(yè)績將為比上年度減少4.8％的4000億日元。

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