昨天三星和GlobalFoundries達(dá)成協(xié)議授權(quán)后者使用三星的14nm FinFET工藝，預(yù)計今年底開始投產(chǎn)。準(zhǔn)備進(jìn)入FinFET工藝的還有代工業(yè)老大臺積電，而且速度前所未有的塊。

臺積電公告稱他們目前已經(jīng)在試產(chǎn)16nm FinFET工藝，商業(yè)化量產(chǎn)預(yù)計在2015年早些時候。與此同時，臺積電還開發(fā)出了改進(jìn)型的16nm FinFET+工藝，預(yù)計在2015年晚些時候量產(chǎn)。

臺積電預(yù)計大多數(shù)客戶會從16nm FinFET工藝升級到16nm FinFET+工藝，因?yàn)楹笳叩膬?yōu)勢更大。 與16nm FinFET相比，16nm FinFET+工藝在同樣的功耗下性能提高了15%，在同樣的頻率下功耗則降低了30%，相比20nm工藝則會有40%的速度優(yōu)勢。

此外，16nm FinFET+與16nm FinFET的設(shè)計規(guī)則是一樣的，大部分要求都是互相兼容的，16nm FinFET的芯片設(shè)計只需要非常小的改動（如果需要的話）就能用到到16nm FinFET+工藝上，客戶遷移到新工藝的成本及花費(fèi)的時間都會很低。

臺積電預(yù)計16nm FinFET+工藝在今年9月份就會完全合格，他們還表示95%的晶圓廠都可以使用16nm FinFET+工藝，而目前正在生產(chǎn)以及準(zhǔn)備生產(chǎn)20nm工藝的95%晶圓廠都可以上馬16nm FinFET工藝，因此臺積電預(yù)計未來轉(zhuǎn)移到16nm FinFET及16nm FinFET+工藝的時間會很快。 首批16nm FinFET+工藝芯片流片會在2014年完成，其余45個芯片流片預(yù)計在2015年完成，此前臺積電公布的今年16nm FinFET工藝芯片流片數(shù)量是16個。

臺積電工藝大躍進(jìn)：研發(fā)10nm已經(jīng)推上日程 除了16nm FinFET及16nm FinFET+工藝之外，臺積電還規(guī)劃了下下代的制程工藝——10nm FinFET，這是該公司第三代FinFET工藝，在提高性能及降低功耗上有進(jìn)一步的改進(jìn)。

臺積電預(yù)計，與16nm FinFET+相比，同樣的功耗下10nm FinFET的頻率提升25%，而同樣的性能下功耗降低45%，晶體管密度則是16nm FinFET+工藝的2.2倍。 目前10nm FinFET工藝還在開發(fā)中，2015年Q4季度會進(jìn)行試產(chǎn)。

如果進(jìn)展一切順利，那么NVIDIA、AMD以及高通公司將在2015年開始使用16nm工藝，2016-2017年間使用10nm工藝。