全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))。

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導(dǎo)通電阻典型值只有500μΩ，可大幅降低傳導(dǎo)損耗，因而非常適合動(dòng)態(tài)ORing和電子保險(xiǎn)絲 (eFuse) 應(yīng)用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠在大電流應(yīng)用內(nèi)減少器件數(shù)量。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過(guò)擴(kuò)充后，能夠滿足市場(chǎng)對(duì)動(dòng)態(tài)ORing和電子保險(xiǎn)絲的高效開(kāi)關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內(nèi)提供行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)可比擬的功率密度。”

與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強(qiáng)電氣性能和熱性能的頂側(cè)冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無(wú)鍵合線設(shè)計(jì)。此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長(zhǎng)生命周期的設(shè)計(jì)。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項(xiàng)豁免條款，但這項(xiàng)豁免將于2016年到期。

規(guī)格

IR的StrongIRFET系列同時(shí)提供采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。