[導讀]賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產品獎。Si7655DN是業(yè)內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產品獎。Si7655DN是業(yè)內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻僅為4.8mΩ,是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。





