【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體所高性能GaN外延材料研究取得進展     
    中國科學(xué)院網(wǎng)2006年9月12日報道：近日，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)的知識創(chuàng)新工程重要方向項目——“高性能氮化鎵(GaN)外延材料研究”通過了專家鑒定。以氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，是繼半導(dǎo)體第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速發(fā)展起來的新型寬帶隙半導(dǎo)體材料，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿?zé)狳c和各國競相占領(lǐng)的戰(zhàn)略高技術(shù)制高點。2002年中國科學(xué)院瞄準(zhǔn)國家重大戰(zhàn)略需求和世界科技前沿，將“新型高頻大功率化合物半導(dǎo)體電子器件研究”作為中國科學(xué)院知識創(chuàng)新工程重要方向項目，半導(dǎo)體所材料中心氮化鎵課題組承擔(dān)了其第一課題“高性能GaN外延材料研究”。
 
    鑒定專家認(rèn)為：半導(dǎo)體所科研人員經(jīng)過不斷攻關(guān)在GaN基微電子材料研制方面取得重大進展，該項目發(fā)展了高阻GaN外延材料的MOCVD制備技術(shù)，用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的非故意摻雜和生長參數(shù)控制新方法，研制出了高性能的高阻GaN外延材料，其室溫電阻率＞1×109 Ω·cm，250°C時電阻率＞1×106 Ω·cm。具國內(nèi)領(lǐng)先水平，達到國際先進水平。為GaN基高溫、高頻大功率高電子遷移率晶體管(HEMT)結(jié)構(gòu)材料的研制打下了堅實基礎(chǔ)。