據(jù)韓媒《ZDNet Korea》報導(dǎo)，3納米閘極全環(huán)制程是讓電流經(jīng)過的圓柱形通道環(huán)繞在閘口，和鰭式場效晶體管（FinFET）的構(gòu)造相比，該技術(shù)能更加精密地控制電流。

若將3納米制程和最新量產(chǎn)的7納米FinFET相比，芯片面積能減少45％左右，同時減少耗電量50％，并將性能提高35％。

當(dāng)天活動中，三星電子將3納米工程設(shè)計套件發(fā)送給半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)，并共享人工智能（AI）、5G移動通信、無人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等第四次產(chǎn)業(yè)革命的核心半導(dǎo)體技術(shù)。工程設(shè)計套件在代工公司的制造制程中，支持優(yōu)化設(shè)計的數(shù)據(jù)文件。半導(dǎo)體設(shè)計公司能通過此文件，更輕易地設(shè)計產(chǎn)品，縮短上市所需時間、提高競爭力。

同時，三星電子計劃在3納米制程中，通過獨家的多橋接通道場效應(yīng)晶體管（MBCFETTM）技術(shù)，爭取半導(dǎo)體設(shè)計公司的青睞。多橋接通道場效應(yīng)晶體管技術(shù)是進一步發(fā)展的「細(xì)長的鋼絲型態(tài)」的閘極全環(huán)構(gòu)造，以輕薄、細(xì)長的納米薄片進行堆棧。該技術(shù)能夠提升性能、降低耗電量，而且和FinFET工藝兼容性強，有直接利用現(xiàn)有設(shè)備、技術(shù)的優(yōu)點。

另一方面，三星電子計劃在下個月5日于上海進行代工論壇，并于7月3日、9月4日、10月10日分別在韓國首爾、日本東京、德國慕尼黑舉行代工論壇。