iWatch將引入“Micro LED”技術(shù)
[導(dǎo)讀]2014年5月蘋果收購了創(chuàng)業(yè)公司LuxVueTechnology，該公司的MicroLED顯示技術(shù)未來有望應(yīng)用于iWatch、GoogleGlass、微投影儀等微顯示器件領(lǐng)域。MicroLED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示
2014年5月蘋果收購了創(chuàng)業(yè)公司LuxVueTechnology，該公司的MicroLED顯示技術(shù)未來有望應(yīng)用于iWatch、GoogleGlass、微投影儀等微顯示器件領(lǐng)域。
MicroLED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，相比于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性，2013年臺灣工研院基于主動式LED微晶粒晶片技術(shù)，開發(fā)出單色微顯示及微投影模組，主力應(yīng)用瞄準如GoogleGlass等頭戴式顯示器。
單色MicroLED陣列已經(jīng)實現(xiàn)極高的DPI，2011年德州科技大學(xué)的團隊發(fā)布了9.6mm×7.2mm面積的綠光主動定址MicroLED陣列，像素間距15微米，實現(xiàn)了VGA解析度，遠高于目前的手機顯示屏。
全彩化、良率、發(fā)光波長一致性是目前主要的問題：單色MicroLED陣列通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動IC貼合就能夠?qū)崿F(xiàn)，而RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬顆LED晶粒，對于LED晶粒光效、波長的一致性、良率要求更高，同時分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。
MicroLED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級。
1998年德國亞琛工業(yè)大學(xué)研究團隊采用濕法腐蝕方法在AlGaInPLED外延片上成功制作多個LED之后，開啟了國際上對MicroLED陣列的研究，MicroLED作為主動發(fā)光器件，突出的優(yōu)點在于分辨潛力大、高亮度對比、低成本，利用半導(dǎo)體加工技術(shù)，可以將MicroLED陣列像素尺寸控制在微米量級，可以應(yīng)用于微顯示器件和數(shù)據(jù)傳輸通信光源。
2009年香港大學(xué)研究小組制作了一種集成光纖的微型LED陣列，在GaNLED外延片上設(shè)計了像素點直徑20微米，像素間距120微米的陣列。
2010年英國帝國大學(xué)研究小組將LED陣列應(yīng)用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬刺激試驗，利用GaNLED外延制作了像素直徑20微米，像素間距50微米的64×64LED陣列。
TexasTechUniversity的江教授團隊在2011年發(fā)表了至今最高密度主動定址的MicroLED陣列芯片，外延生長綠光LED后通過刻蝕形成微陣列，然后通過倒裝封裝與驅(qū)動IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實現(xiàn)了VGA解析度。
2012年索尼曾在CES上展示了55寸CrystalLEDDisplay電視，厚度僅0.63mm，由600萬顆微小LED組成，通過將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動基板上。
2013年臺灣工研院推出了主動式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達到40lm/W。
未來MicroLED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、GoogleGlass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性。
MicroLED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，相比于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性，2013年臺灣工研院基于主動式LED微晶粒晶片技術(shù)，開發(fā)出單色微顯示及微投影模組，主力應(yīng)用瞄準如GoogleGlass等頭戴式顯示器。
單色MicroLED陣列已經(jīng)實現(xiàn)極高的DPI，2011年德州科技大學(xué)的團隊發(fā)布了9.6mm×7.2mm面積的綠光主動定址MicroLED陣列，像素間距15微米，實現(xiàn)了VGA解析度，遠高于目前的手機顯示屏。
全彩化、良率、發(fā)光波長一致性是目前主要的問題：單色MicroLED陣列通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動IC貼合就能夠?qū)崿F(xiàn)，而RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬顆LED晶粒，對于LED晶粒光效、波長的一致性、良率要求更高，同時分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。
MicroLED技術(shù)是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級。
1998年德國亞琛工業(yè)大學(xué)研究團隊采用濕法腐蝕方法在AlGaInPLED外延片上成功制作多個LED之后，開啟了國際上對MicroLED陣列的研究，MicroLED作為主動發(fā)光器件，突出的優(yōu)點在于分辨潛力大、高亮度對比、低成本，利用半導(dǎo)體加工技術(shù)，可以將MicroLED陣列像素尺寸控制在微米量級，可以應(yīng)用于微顯示器件和數(shù)據(jù)傳輸通信光源。
2009年香港大學(xué)研究小組制作了一種集成光纖的微型LED陣列，在GaNLED外延片上設(shè)計了像素點直徑20微米，像素間距120微米的陣列。
2010年英國帝國大學(xué)研究小組將LED陣列應(yīng)用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬刺激試驗，利用GaNLED外延制作了像素直徑20微米，像素間距50微米的64×64LED陣列。
TexasTechUniversity的江教授團隊在2011年發(fā)表了至今最高密度主動定址的MicroLED陣列芯片，外延生長綠光LED后通過刻蝕形成微陣列，然后通過倒裝封裝與驅(qū)動IC貼合，像素間距15微米，在9.6mm*7.2mm面積上實現(xiàn)了VGA解析度。
2012年索尼曾在CES上展示了55寸CrystalLEDDisplay電視，厚度僅0.63mm，由600萬顆微小LED組成，通過將晶圓上的LED微晶粒封裝成150um的像素單體，利用真空吸嘴將單體轉(zhuǎn)移至TFT驅(qū)動基板上。
2013年臺灣工研院推出了主動式LED微晶粒晶片技術(shù)，在0.37寸的晶片上實現(xiàn)了427×240的解析度，現(xiàn)階段工研院電光所的微LED陣列投影模組光效可以達到40lm/W。
未來MicroLED的潛在應(yīng)用領(lǐng)域主要為微顯示器件領(lǐng)域，如微投影儀、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、可穿戴設(shè)備、GoogleGlass等，相比于現(xiàn)有的技術(shù)如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于MicroLED自發(fā)光，光學(xué)系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應(yīng)等特性。
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