恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)日前推出全球首款TD-SCDMA和WCDMA基站用全集成Doherty功率放大器,從而進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻功率晶體管產(chǎn)品范圍。先進(jìn)的BLD6G21-50和BLD6G22-50全集成功率放大器繼承了恩智浦的射頻技術(shù)創(chuàng)新,不僅使設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)易,而且提供無與倫比的效率,在10 W平均功率時(shí)的效率大于40%。與AB類放大器相比,這將使多載波信號(hào)工作條件下的功耗降低35%。
新款全集成Doherty功率放大器采用即插即用設(shè)計(jì),可以像標(biāo)準(zhǔn)AB級(jí)晶體管一樣使用,因而可加快產(chǎn)品上市速度。恩智浦BLD6G21-50和BLD6G22-50放大器可以減小產(chǎn)品外形尺寸并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作,在制造過程中不需要進(jìn)行額外調(diào)諧,從而顯著提升了蜂窩基站功率放大器開發(fā)過程的成本效益。
BLD6G21-50全集成Doherty功率放大器利用了恩智浦先進(jìn)的第六代LDMOS技術(shù),專門針對(duì)工作在2010 MHz至2025 MHz頻率范圍的TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì),其孿生放大器BLD6G22-50則是針對(duì)工作在2110MHz至2170MHz頻率范圍的W-CDMA標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。主放大器、峰值放大器、延遲線路、輸入分離器和輸出合路器均集成于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)晶體管封裝中,后者提供單一輸入和輸出引線,最大限度地減小所需電路板空間。該封裝另有兩個(gè)附加引腳,其中一個(gè)引腳用于外部偏置目的。
恩智浦在集成Doherty技術(shù)上的發(fā)展直接針對(duì)基站供應(yīng)商和電信運(yùn)營(yíng)商的需求。恩智浦半導(dǎo)體公司射頻功率產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)Mark Murphy表示:“集成Doherty是射頻功率放大器領(lǐng)域中的頂尖技術(shù)。通過這一創(chuàng)新,我們實(shí)現(xiàn)了目前最小的Doherty設(shè)計(jì)和創(chuàng)記錄的效率,大大削減了系統(tǒng)總功耗,從而幫助我們的客戶降低成本并提升性能?!?/p>
上市時(shí)間
恩智浦BLD6G21-50和BLD6G22-50集成Doherty放大器即日開始提供樣片。本系列中的更高功率器件將在今年陸續(xù)推出。
恩智浦提供用于基站的完整系列RF功率晶體管產(chǎn)品,工作頻率從 800 MHz 至 3.8 GHz,涵蓋了所有移動(dòng)通信技術(shù)(GSM/EDGE、TDMA、(TD-S)CDMA、W-CDMA/UMTS)以及WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施。
如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場(chǎng),各個(gè)電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時(shí)工作時(shí),總會(huì)在它周圍產(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場(chǎng),比如電視發(fā)射臺(tái)、固定或移動(dòng)式無線電發(fā)射臺(tái)以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。
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