Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù)，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務器的四倍。

數(shù)據(jù)中心能源危機

　　能效專家及斯坦福大學顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出，數(shù)據(jù)中心是個能耗大戶，而且耗電量仍在急劇增長。2000至2005年間，數(shù)據(jù)中心的能耗翻了一番，從每年710億千瓦（kWh/yr）上升到超過1500億千瓦（kWh/yr），其中美國和歐洲約占總量的2/3。若這一趨勢持續(xù)下去，數(shù)據(jù)中心用電量將會繼續(xù)快速增長，而且亞洲的增長速度要超過世界其他地區(qū)。

Spansion EcoRAM較其他存儲器產(chǎn)品的優(yōu)勢

　　互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器通過采用雙列直插內(nèi)存模塊(Dual-in-line Memory Modules)式DRAM實現(xiàn)虛擬即時讀取數(shù)據(jù)。另外這些系統(tǒng)還利用傳統(tǒng)的硬盤進行深度內(nèi)容存儲，例如低等級的信息查找。DRAM可提供快速數(shù)據(jù)存取，但能耗極大。除此之外，由于DIMM的電能限制以及有限的DIMM插槽，單個服務器中的DRAM數(shù)量也受限制，于是就要求IT管理人員增加數(shù)據(jù)中心的服務器總數(shù)，以滿足不斷急劇增長的即時讀取數(shù)據(jù)、同時擴增容量的需求。 由于要求通過高性能隨機讀取實現(xiàn)虛擬即時數(shù)據(jù)讀取，互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務器無法使用隨機讀取性能僅為DRAM 1/800th的NAND閃存。硬盤驅(qū)動器，甚至是固態(tài)存儲硬盤（SSD），都不支持所需的隨機讀取性能。

　　一般來說，傳統(tǒng)的NOR閃存仍在不斷超越DRAM，制程節(jié)點更小，能耗也更低，但寫入性能和容量比要求的更低。

　　Spansion EcoRAM優(yōu)于目前可用的各種存儲產(chǎn)品，對數(shù)據(jù)中心解決方案應用具有以下明顯的潛在優(yōu)勢：

　　讀取性能符合快速隨機存取的要求
　　能耗只有DRAM的1/8
　　可靠性是DRAM的10倍
　　裸片容量比傳統(tǒng)的浮動門NOR高兩至四倍
　　寫入性能比傳統(tǒng)的NOR閃存快兩至十倍

　　Spansion EcoRAM的功耗遠小于DRAM，并充分利用了MirrorBit Eclipse架構(gòu)提供的快速讀寫性能，從而使單個DIMM存儲量飆升至原來的八倍，IT 經(jīng)理因而有可能僅用一臺基于Spansion EcoRAM的服務器來取代四臺基于DRAM的傳統(tǒng)服務器。2007 年 4 月，Spansion宣布推出MirrorBit Eclipse架構(gòu)。該架構(gòu)將MirrorBit NOR和ORNAND集成于一個裸片上，經(jīng)特別設(shè)計，擁有針對此類應用的高讀寫性能、高容量。

　　憑借Spansion EcoRAM及Virident GreenGateway，Spansion與Virident找到了對存儲子系統(tǒng)進行重新架構(gòu)的方法，因而它與現(xiàn)有服務器設(shè)計完全兼容。實現(xiàn)這一點，主要利用了標準存儲DIMM模塊，同時對平臺進行了小小的改進。完整解決方案將幫助IT互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心經(jīng)理突破單一DRAM服務器的限制，在不增加功耗的同時，將數(shù)據(jù)中心存儲量提升至原有的四倍，從而向互聯(lián)網(wǎng)用戶獻上更出色的性能、更豐富多彩的體驗。