采用65納米工藝的SRAM（賽普拉斯）
賽普拉斯日前宣布在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80 Gbps 的總數(shù)據(jù)傳輸速度，而功耗僅為 90 納米 SRAM 的一半。這種新型存儲器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機(jī)、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號處理系統(tǒng)的性能。上述產(chǎn)品可與 90 納米 SRAM 引腳兼容，從而幫助網(wǎng)絡(luò)客戶提高性能、增加端口密度，而且還不必改變原有的板卡布局。
相對于 90 納米的上一代產(chǎn)品，65 納米的 QDR 和 DDR SRAM 能將輸入輸出電容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT)，消除了外部端需接電阻的要求，因而可提高信號的完整性，降低系統(tǒng)成本，節(jié)約板上空間。65 納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù)，其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴(kuò)展 35%，以幫助客戶縮短開發(fā)時(shí)間、節(jié)約開發(fā)成本。
賽普拉斯存儲器和影像部門的執(zhí)行副總裁 Dana Nazarian 指出：“我們不斷豐富自身的同步 SRAM 產(chǎn)品系列，以期拓展目標(biāo)市場，擴(kuò)大市場份額。賽普拉斯致力于推動(dòng) SRAM 市場的長期發(fā)展，并不斷鞏固我們的領(lǐng)先地位?！?/p>
供貨情況和圖片
65 納米的 QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ SRAM 目前已經(jīng)推出樣品，預(yù)計(jì)將于 2009 年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。上述每款產(chǎn)品均提供不同 I/O 寬度（x18 或 x36）、突發(fā)長度（B4 或 B2）和延遲（1.5、2.0 或 2.5）的多種配置標(biāo)準(zhǔn)。65 納米的 72-Mbit SRAM 采用標(biāo)準(zhǔn)的 165 引腳微間距球柵陣列 (FBGA) 封裝，為便于技術(shù)移植，其可與現(xiàn)有的 90納米 QDR和 DDR 器件引腳兼容。
下載文檔為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來，就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高...
關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)功耗 SRAM北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項(xiàng)目評審和論證，在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會（OCTC）獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字： OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC當(dāng)我們購買內(nèi)存條的時(shí)候，會看到內(nèi)存條有如下規(guī)格11-11-11-28，它代表什么意思呢？
關(guān)鍵字： 內(nèi)存時(shí)序 DDR上海2022年9月1日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡稱CKD或DDR5CK01）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺式機(jī)和筆記本電腦的內(nèi)存。 瀾起科技...
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