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3-bit-per-cell NAND 閃存（美光和英特爾）

時間：2010-08-19 11:12:10

關(guān)鍵字：美光 NAND 英特爾 CE

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[導(dǎo)讀]美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預(yù)計在今年年底時量產(chǎn)該產(chǎn)品。

與競爭對手 USB、SD （Secure Digital）閃存卡和消費(fèi)電子產(chǎn)品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存儲設(shè)備的性價比更高且存儲量更大。閃存主要用于存儲數(shù)據(jù)、照片或其它多媒體，如計算機(jī)應(yīng)用和數(shù)碼設(shè)備（數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器、便攜式數(shù)碼攝像機(jī)和各類個人電腦）之間的數(shù)據(jù)捕捉和傳輸。這些市場一直處在以更低成本提供更高存儲容量產(chǎn)品的壓力之下。

由雙方合資組建的 NAND 閃存公司IM Flash Technologies（簡稱 IMFT）所開發(fā)的這項(xiàng) 64Gb（或8GB）25nm 光刻技術(shù)，可提供每單位3比特的信息容量，而傳統(tǒng)技術(shù)只能提供1比特（單層存儲單元）或2比特（多層存儲單元）。業(yè)內(nèi)也將3bpc稱為三層存儲單元（triple-level cell, 簡稱 TLC）。

該設(shè)備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25nm MLC（多層存儲單元）相比，體積要小20%以上，是目前市場上最小的單個 8GB 設(shè)備。從產(chǎn)品固有的緊湊型設(shè)計上看，小尺寸閃存對消費(fèi)終端產(chǎn)品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131平方毫米，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TSOP（薄型小尺寸封裝）封裝。
美光 NAND 解決方案事業(yè)部副總裁 Brian Shirley 說：“鑒于 NAND 閃存對消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性日益顯著，我們將及早向 25nm TLC 過渡視為不斷擴(kuò)大 NAND 存儲產(chǎn)品組合的一大競爭優(yōu)勢。我們已經(jīng)在努力根據(jù)包括 Lexar Media（雷克沙）和美光的更高容量終端產(chǎn)品的設(shè)計，來打造符合要求的 8GB TLC NAND 閃存產(chǎn)品。”

英特爾副總裁兼NAND 解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Tom Rampone 表示：“自業(yè)界尺寸最小的 25nm 芯片在1月問世，25nm 3bpc 產(chǎn)品也緊隨其后，我們將繼續(xù)加速向前發(fā)展，為客戶提供一系列卓越的領(lǐng)先產(chǎn)品。Intel 計劃在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 設(shè)備的基礎(chǔ)上，利用 IMFT 在設(shè)計和制造上的優(yōu)勢，為我們的客戶打造更高密度、更具成本競爭力的產(chǎn)品?！?

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