恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線(xiàn),近日推出最新的針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡(jiǎn)稱(chēng)LDMOS)晶體管,該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來(lái)達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。
針對(duì)大范圍的L波段雷達(dá)應(yīng)用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達(dá)500W的耐用度。
恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括:
• 500W峰值輸出功率(在1.4GHz,100µs脈沖寬度,25%占空比時(shí))
• 17dB增益
• 50%漏極效率
• 更佳耐用度
• 能夠承受高達(dá)5dB的過(guò)驅(qū)動(dòng)能力
• 更佳脈沖頂降 (低于0.2dB)
• 供電電壓50V
• 無(wú)毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達(dá)設(shè)計(jì)的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢(shì),其環(huán)保的陶瓷封裝,可與BeO封裝互相替代。
上市時(shí)間
恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。
欲知詳情,請(qǐng)下載word文檔
下載文檔
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀(guān)點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專(zhuān)欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
所以,我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此,我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或?yàn)楦吖β手谱鞣浅5偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì),它可以擴(kuò)展到低電壓,但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上...
關(guān)鍵字:
氮化鎵
功率器件
根據(jù)最新預(yù)測(cè),由于明年新冠疫苗的交付量幾乎減半,有史以來(lái)最賺錢(qián)的一些醫(yī)藥產(chǎn)品制造商將面臨收入下滑的局面。健康數(shù)據(jù)分析集團(tuán)Airfinity表示,輝瑞(Pfizer)、BioNTech和莫德納(Moderna)已開(kāi)始提高疫...
關(guān)鍵字:
數(shù)據(jù)分析
TE
RF
NI
瑞森超結(jié)mos對(duì)標(biāo)英飛凌產(chǎn)品性能,看其在電源中的應(yīng)用
關(guān)鍵字:
功率器件
從碳達(dá)峰到碳中和,無(wú)疑是需要付出艱苦努力的。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來(lái)說(shuō),則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會(huì)在未來(lái)幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信,面對(duì)浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè),通過(guò)持續(xù)的材料、技術(shù)...
關(guān)鍵字:
英飛凌
功率器件
物聯(lián)網(wǎng)
我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了碳化硅。因此,這些天來(lái),我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車(chē)。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一...
關(guān)鍵字:
氮化鎵
功率器件
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的,從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看你的發(fā)展方向是什么?
所以我想說(shuō)有很多概念,遠(yuǎn)不止兩個(gè),但不知何故,我們可以談?wù)摌O端:所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我...
關(guān)鍵字:
氮化鎵
功率器件
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力,因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄?、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中,我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系...
關(guān)鍵字:
GaN
功率器件
目前SiC在成本方面,以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此,展望未來(lái),重點(diǎn)將放在開(kāi)發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為,未來(lái)未來(lái),碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場(chǎng)的很大一部分,很大一部分,可以說(shuō)是電...
關(guān)鍵字:
SiC器件
功率器件
如我們所知,目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車(chē)提供模塊的長(zhǎng)期合同。
關(guān)鍵字:
SiC器件
功率器件
在多個(gè)能源行業(yè)中,碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴(kuò)展以提供高效,而碳化硅 (SiC) 正在多個(gè)能源行業(yè)擴(kuò)展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等領(lǐng)域的重要性,許多公司正在評(píng)估和投資晶圓技術(shù)。在華威大...
關(guān)鍵字:
SiC器件
功率器件
今天,由于該領(lǐng)域眾多公司的研究,功率器件已達(dá)到極高的效率水平。優(yōu)異的成績(jī)是由于不同電子和物理部門(mén)的協(xié)同作用,它們結(jié)合在一起,可以達(dá)到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實(shí)現(xiàn)非常高的效率,尤其是在高開(kāi)關(guān)速度下,從而...
關(guān)鍵字:
功率器件
器件封裝
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車(chē)應(yīng)用,氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下,設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,這導(dǎo)致器件具有比硅同類(lèi)產(chǎn)品更大的功率能力。然而,高...
關(guān)鍵字:
GaN
功率器件
氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù),已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×,可以提供高達(dá)3×的功率或充電,其尺寸和重量是硅器件的一半。
關(guān)鍵字:
氮化鎵
功率器件
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率器件需要承受過(guò)載或故障條件,這些條件會(huì)造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動(dòng)器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件,之前將 1us 視為正常響應(yīng)時(shí)間。...
關(guān)鍵字:
GaN HEMT
功率器件
GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機(jī)會(huì)以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)的最前沿。在本文中,我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性,并嘗試強(qiáng)調(diào)每個(gè)方面的一些權(quán)衡。
關(guān)鍵字:
GaN HEMT
功率器件
北京2022年9月9日 /美通社/ -- 9月9日,全球權(quán)威AI基準(zhǔn)評(píng)測(cè)MLPerf? V2.1推理最新評(píng)測(cè)成績(jī)公布,浪潮AI服務(wù)器成功搭載國(guó)產(chǎn)GPU芯片廠(chǎng)商壁仞科技自研的高端通用GPU,在BERT和ResNe...
關(guān)鍵字:
AI
芯片
GPU
RF
我的最后一個(gè)問(wèn)題是關(guān)于展望未來(lái):您如何看待未來(lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此,這些天來(lái),我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車(chē)。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面...
關(guān)鍵字:
GaN
功率器件
現(xiàn)在討論的一個(gè)主題是器件的熱管理方面,而寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵,但不僅是碳化硅解決方案,承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知,在將這些設(shè)備設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中時(shí),設(shè)計(jì)人員還需要考慮熱管理問(wèn)題。那么,您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么,您如何看...
關(guān)鍵字:
GaN
功率器件