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恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線(xiàn),近日推出最新的針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡(jiǎn)稱(chēng)LDMOS)晶體管,該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來(lái)達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。

針對(duì)大范圍的L波段雷達(dá)應(yīng)用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達(dá)500W的耐用度。


恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括:
•    500W峰值輸出功率(在1.4GHz,100µs脈沖寬度,25%占空比時(shí))
•    17dB增益
•    50%漏極效率
•    更佳耐用度
•    能夠承受高達(dá)5dB的過(guò)驅(qū)動(dòng)能力
•    更佳脈沖頂降 (低于0.2dB)
•    供電電壓50V
•    無(wú)毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)

恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達(dá)設(shè)計(jì)的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢(shì),其環(huán)保的陶瓷封裝,可與BeO封裝互相替代。

上市時(shí)間

恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。
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