Vishay發(fā)布4款新型D/CRCWe3厚膜片式電阻的工程設(shè)計(jì)包

時(shí)間：2012-06-15 17:34:06

關(guān)鍵字： CRC 電阻膜片 Vishay

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[導(dǎo)讀]21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在

21IC訊 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通過AEC-Q200認(rèn)證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設(shè)計(jì)套件。套件可幫助設(shè)計(jì)者選擇最適合其應(yīng)用的電阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選阻值，同時(shí)樣片封裝在卷帶條并附有單獨(dú)的標(biāo)簽。

本次發(fā)布的4款設(shè)計(jì)套件采用E96系列阻值標(biāo)準(zhǔn)，范圍從10Ω到1MΩ(每檔間隔４個(gè)阻值)，同時(shí)額外包含一個(gè)0Ω跳線，每款套件總共包含122種不同的阻值。電阻的容差為±1%，TCR為±100ppm/K，功率耗散為0.063W～0.25W，電阻芯電壓為50V～200V。

D/CRCW e3厚膜片式電阻非常適合汽車、工業(yè)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)品和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域的應(yīng)用。器件符合RoHS指令2011/65/EU，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

規(guī)格表：

產(chǎn)品	額定耗散 P₇₀	電壓	數(shù)量
D10/CRCW0402 e3	0.063 W	50 V	122 x 100
D11/CRCW0603 e3	0.10 W	75 V	122 x 50
D12/CRCW0805 e3	0.125 W	150 V	122 x 50
D25/CRCW1206 e3	0.25 W	200 V	122 x 50

新款工程設(shè)計(jì)套件現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為六周。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的&ldquo;財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器和電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用在工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍工、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備當(dāng)中。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的戰(zhàn)略收購，以及&ldquo;一站式”服務(wù)，Vishay成功躋身業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商之列