實現互聯世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統(tǒng)應用而言甚為關鍵。

該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業(yè)內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更高且經濟高效的分立式技術。

Qorvo高性能解決方案事業(yè)部總經理Roger Hall表示：“高性能GaN產品、互補模塊和專業(yè)的應用工程支持有機結合，使得Qorvo脫穎而出。我們幫助設計人員將產品加速推向市場。”

支持迅速、準確的性能測試并加速生產就緒過程的線性、非線性以及噪聲模型由我們的合作伙伴、仿真技術領域的領先企業(yè)Modelithics, Inc.提供。這些模型提供的功能包括擴展工作電壓、環(huán)境溫度和自熱效應，以及針對波形優(yōu)化的固有電壓/電流節(jié)點訪問。

下表簡要介紹了QGaN15產品的特性。

10GHz時的數據：