安捷倫科技(Agilent)日前宣布，推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脈沖參數(shù)測(cè)試儀，用來檢定使用高級(jí)工藝技術(shù)(如65 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn))制造的器件。通過Agilent 4075和4076，半導(dǎo)體測(cè)試工程師可以同時(shí)測(cè)量RF特點(diǎn)和DC特點(diǎn)，以滿足當(dāng)前體積日益縮小的多樣化半導(dǎo)體器件需求，如65 nm及更高工藝的超薄柵氧化物晶體管、絕緣體上硅(SOI)晶體管和高介電常數(shù)(高k)器件。

體積縮小和器件速度提高，日益需要在生產(chǎn)過程中實(shí)現(xiàn)新的參數(shù)測(cè)試功能，而過去只有在實(shí)驗(yàn)室中才需要這些功能。Agilent 4075和4076為精確檢定新的器件結(jié)構(gòu)提供了所需的靈活性，如超薄柵氧化物MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或通信應(yīng)用中使用的高速半導(dǎo)體器件。通過先進(jìn)的設(shè)計(jì)，Agilent 4075和4076支持10-ns短脈沖式IV測(cè)量，對(duì)熱量或電荷異常靈敏的器件必需進(jìn)行此類測(cè)量，如高速邏輯應(yīng)用中使用的SOI晶體管和高介電常數(shù)晶體管。此外，Agilent 4076支持直到1 fA的超低電流測(cè)量功能。

與整個(gè)4070系列一樣，Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自動(dòng)化協(xié)議，這些協(xié)議已經(jīng)在世界各地的生產(chǎn)線中得到驗(yàn)證。SECS/GEM是半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)，保證制造設(shè)備共享一致的界面和行為。

現(xiàn)代超薄柵MOSFET容易受到電子隧道的影響。為檢定其電容和電壓(CV)行為特點(diǎn)，測(cè)量頻率必需超過幾兆赫。但是，高頻CV (HFCV)及實(shí)現(xiàn)檢定必需的射頻頻率CV (RFCV)測(cè)量技術(shù)之間相互抵觸。Agilent 4075和4076同時(shí)支持HFCV (4294A)儀器和RFCV (ENA/PNA)儀器，使得用戶能夠選擇最佳方法，滿足自己的工藝技術(shù)和生產(chǎn)測(cè)試需求。

Agilent 4075和4076都把高速電容測(cè)量單元(CMU)集成到測(cè)試頭中。這一功能可以在1 kHz - 2 MHz頻率范圍內(nèi)，對(duì)層間/層內(nèi)氧化物非?？焖俚剡M(jìn)行電容測(cè)量，從而改善吞吐量，降低測(cè)試成本。

通信應(yīng)用和高速邏輯應(yīng)用要求深入檢定高速半導(dǎo)體器件的性能。Agilent 4075與4076皆支持利用PNA進(jìn)行RF的S參數(shù)測(cè)試功能，相對(duì)于目前市面上使用VNA的解決方案，以PNA為主的RF解決方案可提供更高的產(chǎn)出速度。 

諸如SOI或高k等最新的先進(jìn)技術(shù)需要超短的脈沖測(cè)試能力，以防止產(chǎn)生有害的熱量或電荷敏感效應(yīng)。然而，生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)的脈沖式測(cè)量能力卻只限于測(cè)量微秒的范圍。Agilent 4075與4076可提供短至10納秒的超短脈沖式IV測(cè)量能力，能有效地測(cè)量SOI或高k晶體管等對(duì)熱或電荷高度敏感組件的特性。

Agilent 4076還為生產(chǎn)測(cè)試提供了實(shí)驗(yàn)室測(cè)試功能。高級(jí)工藝通常要求在生產(chǎn)中精確測(cè)量各種參數(shù)，如MOSFET低于門限的泄漏電流和銅(Cu)金屬Van der Paw電阻。這些測(cè)量要求異常精確的電流和電壓測(cè)量分辨率，而此前只有實(shí)驗(yàn)室中才能提供這種分辨率。

Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脈沖式IV測(cè)量功能都可以在整個(gè)新設(shè)計(jì)的直接對(duì)接接口上使用。這種直接對(duì)接的設(shè)計(jì)可通過自動(dòng)化的探針卡更換機(jī)制，讓使用者輕易地控制和變換探針卡，而且這種RF直接對(duì)接的方式也不會(huì)減少任何的DC針腳。
   
諸如測(cè)量鏈接庫和校準(zhǔn)工具等操作簡(jiǎn)易、采用圖形化使用者接口的軟件皆支持這些RF、HFCV和脈沖式IV測(cè)量功能。