面向隔離DC-DC轉換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)
瑞薩科技公司（以下簡稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務器、通信設備和工業(yè)設備等應用領域內電源中使用的隔離DC-DC轉換器*1的功率MOSFET產品。新型功率MOSFET在降低開關損耗*2、提高能效的同時，還具有很寬的電壓容差范圍（40V、60V、80V 和 100V）。上述產品將于2009年12月3日起投入批量生產。
這12款新產品采用的第10代制造工藝在早期的、重點實現(xiàn)低導通電阻*2的功率MOSFET（主要用于非隔離DC-DC轉換器）上已經得到了普遍認同。此項工藝在進行了優(yōu)化后，更能實現(xiàn)比瑞薩先前產品低達50%的柵-漏極電荷（Qgd）*3。而柵-漏極電荷正是在功率MOSFET內實現(xiàn)低開關損耗的一個重要特性。此外，新產品所采用的高性能封裝（瑞薩科技公司封裝編號：LFPAK）還可降低封裝電阻、改善散熱特性、提升產品性能，從而使隔離DC-DC轉換器提高效率、降低能耗。
新型功率MOSFET具有如下特性：
(1)柵-漏極電荷比瑞薩早期的產品約低50%（電壓容差為100V的RJK1056DPB）
為了降低隔離DC-DC轉換器的能耗，需要柵-漏極電荷（Qgd）較低（這是降低開關損耗的一個重要因素）的功率MOSFET。這12款新型功率MOSFET采用瑞薩第10代針對該應用進行了優(yōu)化的0.18μm 工藝制造而成。例如，電壓容差為100V的RJK1056DPB，其柵-漏極電荷為7.5nC，約為瑞薩早期產品HAT2173H（14.5nC）的一半。
(2)電壓容差范圍廣（40V、60V、80V 和 100V）
隔離 DC-DC 轉換器的輸入和輸出電壓取決于所使用的功率MOSFET的電壓容差。在隔離元件方面，隔離 DC-DC 轉換器由充當輸入端的主電源和充當輸出端的副電源組成。新型功率 MOSFET 系列包含專門用于滿足一次側需求、電壓容差為80V 和100V的產品，以及用于滿足二次側需求、電壓容差為40V和60V的產品。用戶可以選擇最符合其要求的產品。
(3)高性能封裝提升了產品性能
新型功率MOSFET采用瑞薩得到普遍認可的LFPAK（瑞薩科技公司封裝編號）*4高性能封裝。它提供了低封裝電阻和出色的散熱特性，能夠防止元件出現(xiàn)過熱的情況。與傳統(tǒng)的SOP-8或類似的封裝相比，該封裝本身就為產品實現(xiàn)了低損耗。從內部直接連接到導線框上，從而降低了封裝電感，保證了高頻操作的實現(xiàn)。
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