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三款新型500V N溝道功率MOSFET（Vishay）

時間：2010-07-11 21:25:25

關鍵字： Vishay 功率MOSFET 導通電阻器件

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[導讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。

這三款器件的低導通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和LLC拓撲中節(jié)約能源，這些應用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機和液晶電視，以及開放式電源。

除了具有低導通電阻，這三款器件的柵極電荷為48nC。柵極電荷與導通電阻的乘積低至26.64Ω-nC，該數(shù)值是描述用于功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET性能的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。

新款N溝道MOSFET采用Vishay Planar Cell技術生產(chǎn)，這項技術為減小通態(tài)電阻進行了定制處理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了開關速度和損耗。

這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并經(jīng)過了完備的雪崩測試，以實現(xiàn)可靠的工作。新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。

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