MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
[導(dǎo)讀]我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。
Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。
這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。
由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于 Vds電壓要比原來大很多，這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。
由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。
開啟和關(guān)斷的過程分析：
功耗的計(jì)算：
MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。
2. 由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。
3. MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動(dòng)級的P溝道和N 溝道場效應(yīng)管（FET）在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導(dǎo)通而引起的。
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。
Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。
這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。
由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于 Vds電壓要比原來大很多，這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。
由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。
開啟和關(guān)斷的過程分析：
功耗的計(jì)算：
MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。
2. 由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。
3. MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動(dòng)級的P溝道和N 溝道場效應(yīng)管（FET）在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導(dǎo)通而引起的。
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