如果不用固定的時鐘來初始化導(dǎo)通時間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時啟動MOSFET導(dǎo)通時間,結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關(guān) (Valley Switching) 或準諧振開關(guān)。這篇文章的目的目的在于和大家分享關(guān)于準諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計算方面的知識。
準諧振 QR
Q(Quasi)
R( resonant)
主要是降低mosfet的開關(guān)損耗，而mos的開關(guān)損耗主要是來源于自身的輸出電容。
從上圖中，大家可以討論一下，一般的開關(guān)損耗來自于那幾個部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時間內(nèi)，寄生電容將會跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數(shù)值。當下一個周期MOSFET導(dǎo)通時間開始時，寄生電容會通過MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓,該電流尖峰因此會做成開關(guān)損耗。
從上面的圖可以看到，準諧振跟一般的傳統(tǒng)反激原理基本一樣。
Lleak是初級漏感，Rp是初級電阻，Cp是諧振電容;[!--empirenews.page--]
當副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復(fù)位)，在開關(guān)管的漏極出現(xiàn)正弦波振蕩電壓，振蕩頻率由LP、CP決定，衰減因子由RP決定。
對于傳統(tǒng)的反激式變換器，其工作頻率是固定的，因此開關(guān)管再次導(dǎo)通有可能出現(xiàn)在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底)。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
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