1.MOS管并聯(lián)的可行性分析
由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過(guò)程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來(lái)，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)。

　2.MOS管的并聯(lián)電路
理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下

上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)電阻隔離驅(qū)動(dòng)，主要是可以防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值過(guò)小，可能就起不到防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開關(guān)速度會(huì)變慢，由于每個(gè)MOS管的結(jié)電容會(huì)有細(xì)微的不同，結(jié)果取值過(guò)大還會(huì)導(dǎo)致各個(gè)MOS管的導(dǎo)通速度相差比較大，所以R1-4在能夠防止各個(gè)MOS管的寄生振蕩的情況下盡量小到可以滿足開關(guān)速度。
關(guān)于R5-R8的柵極下拉電阻，主要作用是在驅(qū)動(dòng)IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合下，比如對(duì)待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個(gè)電阻往往取值很大甚至沒(méi)有，這樣?xùn)艠O的阻抗會(huì)比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS管的柵極。這種應(yīng)用最好在柵源極之間并聯(lián)一個(gè)15V左右的穩(wěn)壓管。
　3.MOS管的并聯(lián)對(duì)布線的要求
大家知道，多個(gè)MOS管并聯(lián)，漏極和源極的走線都需要通過(guò)多個(gè)MOS管的總電流，理論上計(jì)算，如果要達(dá)到單個(gè)MOS管的電流不偏移平均電流的10%，那么總線上的總阻抗一定要控制在所有MOS管并聯(lián)后的內(nèi)阻的10%以內(nèi)。比如過(guò)50A的電流，由我們的RU75N08R 4顆并聯(lián), RU75N08典型是8mΩ,并聯(lián)后就是2 mΩ，那么漏極或源極的走線電阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以內(nèi)才能保證10%的均流誤差。如果PCB銅箔厚度和寬度有限，我們可以加焊銅線或通過(guò)散熱片達(dá)到這個(gè)低的走線內(nèi)阻。