對于電路來說，浪涌電流是非常影響整體運(yùn)行效率的一個(gè)問題。設(shè)計(jì)者們想方設(shè)法的對浪涌電流進(jìn)行規(guī)避，因此各種各樣的測試方法應(yīng)運(yùn)而生。在本文中，小編將為大家介紹一種二極管正向浪涌電流的測試基本電路。

正弦半波脈沖電流的產(chǎn)生

二極管的規(guī)格繁多，常見的額定通態(tài)電流從數(shù)百毫安到數(shù)百安培甚至更高，IFSM測試需要的峰值脈沖電流要求達(dá)到數(shù)十倍的額定通態(tài)電流值。標(biāo)準(zhǔn)的測試方法是采用大容量工頻變壓器，截取市電交流波形來產(chǎn)生時(shí)間常數(shù)為10ms、導(dǎo)通角為0°～180°的正弦半波脈沖

用這種方法產(chǎn)生幾百上千安培的正弦脈沖電流，所用到的變壓器體積重量都非?？捎^，安裝與使用十分不便。一些國外公司的產(chǎn)品對浪涌沖擊電流波形有特殊要求，比如要求在正向整流電流的基礎(chǔ)上再加一個(gè)時(shí)間常數(shù)為10ms或8.3ms、導(dǎo)通角為0°～180°的正弦半波脈沖電流，或者要求施加連續(xù)兩個(gè)時(shí)間常數(shù)為10ms或8.3ms、導(dǎo)通角為0°～180°的正弦半波脈沖電流等。顯然再采用市電截取的方法，已經(jīng)很難滿足不同器件的測試要求了。

設(shè)計(jì)思路

大功率場效應(yīng)管晶體管是一類標(biāo)準(zhǔn)的電壓控制電流器件，在VDMOS管的線性工作區(qū)內(nèi)，漏極電流受柵極電壓控制：IDS=GFS*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會(huì)輸出相應(yīng)的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實(shí)現(xiàn)所需的浪涌電流波形，

運(yùn)放組成基本的反向運(yùn)算電路，驅(qū)動(dòng)VDMOS管的柵極，漏源電流通過VDMOS管源極取樣電阻，加到運(yùn)放反向輸入端，與輸入波形相加形成反饋，運(yùn)放輸出電壓控制VDMOS管的柵極電壓VGS，進(jìn)而控制漏極輸出電流IDS。這個(gè)IDS就是施加給待測二極管(DUT)的正向浪涌電流。

單只VDMOS管的功率和電流放大能力是有限的，無法達(dá)到上千安培的輸出電流能力，采用多只并聯(lián)的方式可以解決這個(gè)問題，以達(dá)到所需要的峰值電流。常見的連接方法如圖3所示。

圖3 VDMOS并聯(lián)方式

在以上的內(nèi)容中，本文對于各種浪涌電流沖擊測試的要求進(jìn)行了介紹，并且測試所用的元器件都是常見的一些元器件。測試電路擁有體積小重量輕的特點(diǎn)，方便快速組合成測試儀器。在較不穩(wěn)定環(huán)境中進(jìn)行測量時(shí)的優(yōu)勢較為明顯。