
在低頻整流電路中,二極管的反向恢復(fù)時間似乎是一個無關(guān)緊要的參數(shù)。然而,當(dāng)開關(guān)頻率提升到幾十kHz甚至MHz級別時,反向恢復(fù)時間就會成為決定電路效率、EMI性能和可靠性的核心因素。例如,在一個100kHz的開關(guān)電源中,二極管的反向恢復(fù)損耗可能占到總損耗的30%以上,甚至?xí)?dǎo)致電路產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。深入理解二極管反向恢復(fù)時間的原理、影響因素與優(yōu)化策略,是設(shè)計高效、可靠的高速開關(guān)電路的關(guān)鍵。
器件提供即插即用的替換方式,降低導(dǎo)通損耗,提高工業(yè)應(yīng)用的效率
在電子工程領(lǐng)域,二極管作為基礎(chǔ)元件,其開關(guān)特性對電路性能至關(guān)重要。然而,當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止?fàn)顟B(tài)時,會經(jīng)歷一個被稱為“反向恢復(fù)”的動態(tài)過程。這一現(xiàn)象不僅影響電路效率,還可能引發(fā)電壓尖峰、電磁干擾等問題,尤其在高速開關(guān)電路中尤為突出。
在電子設(shè)備的設(shè)計與使用過程中,電源正負(fù)極接反是常見的操作失誤,可能導(dǎo)致電路損壞、元件燒毀甚至引發(fā)安全事故。因此,設(shè)計有效的電源防反接電路,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行,成為硬件工程師的重要任務(wù)。
創(chuàng)新設(shè)計使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管,同時確??煽康谋Wo(hù)功能,非常適合各種需要12V電池防反接保護(hù)的汽車應(yīng)用
快速軟恢復(fù)二極管是普通整流管的派生器件,其基本結(jié)構(gòu)及電氣符號與普通整流管一致,通過特殊制造工藝提升開關(guān)速度,并在反向恢復(fù)過程中保持較小反向恢復(fù)電流下降率,呈現(xiàn)軟恢復(fù)特性 。
在電力電子與高頻開關(guān)電路中,二極管的反向恢復(fù)過程是影響系統(tǒng)效率與可靠性的關(guān)鍵因素。當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止時,并非瞬時完成,而是存在一個動態(tài)過渡階段,這一過程被稱為反向恢復(fù)。理解其機(jī)理對優(yōu)化電路設(shè)計、降低損耗及避免電磁干擾至關(guān)重要。
二極管作為電子電路中最基礎(chǔ)的元器件之一,其核心特性是單向?qū)щ娦?。這種特性使得電流只能從陽極(正極)流向陰極(負(fù)極),而反向時幾乎不導(dǎo)通。這一特性在整流、信號調(diào)制、電路保護(hù)等應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
該測試儀將測量二極管從開到關(guān)的切換速度。
二極管特性曲線(I - V曲線)顯示了通過二極管的電流(I)如何隨著電壓(V)的變化而變化。
全新系列具備先進(jìn)性能,可提供有效的 ESD 保護(hù),并提供體積緊湊的單向及雙向封裝選項
Pickering 125系列,新增1 Form A, 1 Form B, 1 Form C,及同軸型號,憑借業(yè)內(nèi)最小的雙刀單擲(DPST)舌簧繼電器,樹立了封裝密度的新標(biāo)桿
PFC二極管,作為功率因數(shù)校正(PFC)電路中的關(guān)鍵元件,其工作原理主要基于二極管的整流特性。在PFC電路中,二極管主要起到將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的作用,以改善電源的功率因數(shù)。
在現(xiàn)代電子和通信系統(tǒng)中,二極管作為最基本的半導(dǎo)體器件之一,其頻率特性直接決定了電路的工作性能。從高頻整流到微波信號處理,二極管的頻率響應(yīng)特性是電路設(shè)計中的關(guān)鍵參數(shù)。
這款游戲是基于《旋風(fēng)》街機(jī)游戲,玩家試圖在一個特定的地點停止一個滾動的圓圈。
在電力電子設(shè)備、通信系統(tǒng)及工業(yè)控制電路中,二極管作為核心開關(guān)元件被廣泛應(yīng)用。然而,其在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間往往成為電磁干擾(EMI)的主要輻射源,導(dǎo)致設(shè)備性能下降、通信中斷甚至觸發(fā)電磁兼容(EMC)測試失敗。深入探究二極管開關(guān)瞬間 EMI 的產(chǎn)生機(jī)制,對于優(yōu)化電路設(shè)計、抑制干擾具有重要的工程意義。
器件采用3.2 mm x 2.0 mm x 0.6 mm緊湊封裝,感光面積達(dá)2.8 mm2,光電流高達(dá)16 μA
中國上海,2025年10月9日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發(fā)出一款創(chuàng)新型保護(hù)用肖特基勢壘二極管“RBE01VYM6AFH”,該產(chǎn)品在低VF(正向電壓)和低IR(反向電流)這對此消彼長的特性之間實現(xiàn)了高維度平衡,可為ADAS攝像頭等配備了像素日益提高的各種圖像傳感器的應(yīng)用,提供高可靠性的保護(hù)解決方案。
器件降低開關(guān)損耗并提高效率,Qrr 低至105 nC,VF 低至 1.45 V,結(jié)電容低,恢復(fù)時間短