
中國上海,2026年4月2日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出兼具業(yè)界超低動態(tài)電阻(Rdyn)*1和超低電容特性的ESD(靜電放電)保護二極管*2“RESDxVx系列”。該系列產(chǎn)品適用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)谋姸鄳妙I域。
這些器件結合了高線性電流傳輸比(CTR)和0.5 mA的低正向電流,支持高達+125 °C的工作溫度,提供了四種封裝選擇
最近,在我之前的一段視頻中,我向您展示了一個基于圓形顯示屏、使用 ESP32 微控制器和 Adafruit GFX 庫的復古 VU 表項目。當時,VU 表是通過庫函數(shù)繪制出來的,但代碼仍然相對復雜,您可以在那段視頻中看到結果。
在電力電子整流電路中,MOS管(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)憑借導通電阻小、開關速度快、功耗低等優(yōu)勢,逐步替代傳統(tǒng)二極管整流,成為高頻、高效整流電路的核心器件。NMOS(N溝道MOS管)與PMOS(P溝道MOS管)作為MOS管的兩大核心類型,雖均能實現(xiàn)整流功能,但在結構特性、工作原理、性能表現(xiàn)及應用場景上存在顯著差異,直接決定了整流電路的效率、穩(wěn)定性與設計復雜度。
反激開關電源因其結構簡潔、成本低廉、體積小巧等優(yōu)勢,廣泛應用于小家電、適配器、工業(yè)輔助電源等中小功率場景。但在實際運行中,次級整流二極管兩端易出現(xiàn)高頻電壓振鈴現(xiàn)象,不僅會加劇電磁干擾(EMI)、降低電源效率,還會增大二極管電壓應力,嚴重時可導致二極管雪崩擊穿,影響電源整機可靠性。RC吸收網(wǎng)絡作為一種結構簡單、成本可控的被動抑制方案,能有效阻尼振鈴、抑制電壓尖峰,是解決該問題的主流技術手段。
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在電力電子設備、通信系統(tǒng)及工業(yè)控制電路中,二極管作為核心開關元件,承擔著整流、續(xù)流、鉗位等關鍵功能,其應用場景覆蓋從家用電子產(chǎn)品到工業(yè)大功率設備的廣泛領域。據(jù)統(tǒng)計,約35%的電源EMC問題與二極管選型或布局不當直接相關,其中開關瞬間引發(fā)的電磁干擾(EMI)更是困擾工程師的常見難題。這種干擾不僅會導致設備性能下降、信號失真,嚴重時還會觸發(fā)電磁兼容測試失敗,影響周邊電子設備的正常運行。
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VETH100A1DD1符合OPEN Alliance關于靜電保護器件的全部三項EMC測試規(guī)范
【2026年3月4日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列,進一步擴大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個600V氮化鎵(GaN)開關,帶有高低側柵極驅(qū)動器與自舉二極管,提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級,進一步降低設計復雜度。
同步整流技術作為現(xiàn)代充電器提升轉換效率、降低發(fā)熱量的核心方案,其核心邏輯是用導通電阻極低的MOSFET替代傳統(tǒng)整流二極管,通過精準控制MOSFET的通斷時序,大幅減少整流環(huán)節(jié)的功率損耗——相比二極管整流,同步整流方案可使充電器效率提升2~5%,溫度降低約15℃,這也是快充技術普及的關鍵支撐之一。同步整流MOS的部署方式分為內(nèi)置與外置兩種,內(nèi)置MOS因集成度高、成本可控,廣泛應用于中低功率普通充電器,但在諸多特定場景下,外置MOS成為必然選擇。本文將結合充電器功率需求、性能指標、應用環(huán)境等核心因素,詳細解析同步整流需外置MOS的具體場景,幫助理解其選型邏輯與技術價值。
二極管作為電子電路中最基礎的半導體器件,憑借單向?qū)ㄌ匦詮V泛應用于整流、穩(wěn)壓、開關等場景,其可靠性直接決定整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。在實際應用中,過電流和過電壓是導致二極管失效的兩大主要誘因,二者雖均會造成二極管損壞、電路異常,但失效機理、外觀特征、電性能變化及誘發(fā)條件存在顯著差異。準確區(qū)分這兩種失效模式,不僅能快速定位故障根源、縮短維修周期,還能優(yōu)化電路保護設計、降低失效概率。