
英特爾CTO介紹英特爾實(shí)驗(yàn)室推進(jìn)的四大研發(fā)項(xiàng)目
9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個(gè)月來(lái),DRAM價(jià)格連連上漲,同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已
美林證券最新出爐的報(bào)告,茂德股價(jià)慘跌,技術(shù)遲遲沒(méi)有更新,目前正致力于重整,管理高層表示,內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來(lái)制作 1GB,采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù),但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中,目前
三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式. 多年來(lái),半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過(guò),它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排
封測(cè)大廠硅品(2325)昨(5)日公布9月?tīng)I(yíng)收達(dá)59.78億元,創(chuàng)下近2年來(lái)新高,第三季營(yíng)收約167.32億元,較第二季增加約18.4%,高于 市場(chǎng)普遍預(yù)估的季增15%。至于測(cè)試大廠京元電昨日公布9月?tīng)I(yíng)收達(dá)11.05億元?jiǎng)?chuàng)下今年新高
愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試于今年年中發(fā)表最新的高速內(nèi)存測(cè)試機(jī)T5503擴(kuò)充架構(gòu),以256顆DDR3內(nèi)存之同測(cè)技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界,兩倍于前一款機(jī)型,此款擴(kuò)充架構(gòu)機(jī)型,配合T5503 8448 Channels之測(cè)試頭,現(xiàn)已開(kāi)始出貨。 愛(ài)德萬(wàn)表示,未來(lái)高質(zhì)
韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)新一代非易失性內(nèi)存PRAM(Phase Change RAM)。此次量產(chǎn)的是采用60nm左右工藝的512Mbit產(chǎn)品。主要面向智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品。 通過(guò)配備PRAM,除了可將便攜產(chǎn)品的電池壽命
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日,嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)硅智財(cái)(IP)的領(lǐng)先供貨商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology
過(guò)去五年來(lái),數(shù)字電源技術(shù)一直處于電源市場(chǎng)的中心。許多非凡的進(jìn)步都發(fā)生在這段時(shí)間,包括功率級(jí)集成、數(shù)字電路與模擬相混合以及PMBus 和I2C形式的總線通信能力。同時(shí)也存在一些障礙,比如有關(guān)PMBus的訴訟、用戶友好
日本大型DRAM廠商爾必達(dá)內(nèi)存(Elpida Memory)強(qiáng)勢(shì)出擊DRAM市場(chǎng)。除了接手已經(jīng)破產(chǎn)的德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda AG)的圖形DRAM業(yè)務(wù),涉足該市場(chǎng)外,還計(jì)劃與臺(tái)灣DRAM廠商合作以加速低價(jià)位DRAM的開(kāi)發(fā)。在大容量低功耗的高端
嵌入式軟件安全設(shè)計(jì)理念