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《主筆室》大尺寸OLED制程技術(shù)有新解？仍要看成本
有機(jī)發(fā)光二極體顯示器OLED（Organic Light Emitting Diode, OLED）被視為薄膜電晶體液晶顯示器TFT-LCD（Thin film transistor liquid crystal display）最大競(jìng)爭(zhēng)者。但目前仍只有韓廠三星Samsung順利量產(chǎn)中小尺寸OLE
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臺(tái)積新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)3D IC
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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臺(tái)積新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)三維芯片
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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臺(tái)積新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)3D IC
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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多管齊下 臺(tái)積電新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)3D IC
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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臺(tái)積新晶圓制程技術(shù)加速實(shí)現(xiàn)3D IC
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)業(yè)者，推進(jìn)鰭式晶體管(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手，加
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催生新世代處理器 臺(tái)積電翻新晶圓制程技術(shù)
臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問題，臺(tái)積電除攜手矽智財(cái)(IP)業(yè)者，推進(jìn)鰭式電晶體(FinFET)制程商用腳步外，亦計(jì)劃從晶圓導(dǎo)線(Interconnect)和封裝技術(shù)著手
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應(yīng)用產(chǎn)品日益多元 CMOS/MEMS制程技術(shù)抬頭
CMOS/MEMS制程技術(shù)可在單一裸晶(Die)中，同時(shí)整合MEMS感測(cè)元件與訊號(hào)處理晶片，可較現(xiàn)今大多數(shù)MEMS感測(cè)器采用的系統(tǒng)封裝(SiP)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更小尺寸且更低成本的解決方案，因而有愈來(lái)愈多半導(dǎo)體廠開始采用，且應(yīng)用產(chǎn)品已
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可撓式玻璃“連續(xù)卷軸式制程技術(shù)”研發(fā)成功
全球首次成功針對(duì)可撓式玻璃開發(fā)的制程——“連續(xù)卷軸式制程技術(shù)”由工研院開發(fā)，並和群創(chuàng)(3481-TW)、友達(dá)(2409-TW)等面板廠、F-TPK宸鴻(3673-TW)、勝華(2384-TW)觸控面板商及LED廠商億光(2393-
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短期供過(guò)于求 面板雙虎看好后市
面板雙虎展望面板市況，群創(chuàng)總經(jīng)理王志超表示，中國(guó)國(guó)內(nèi)節(jié)能補(bǔ)貼政策結(jié)束后，不可避免1~2個(gè)月將會(huì)有短暫時(shí)間的影響，不過(guò)群創(chuàng)去年進(jìn)行尺寸差異化，避開32、42英寸補(bǔ)貼尺寸，看好市場(chǎng)需求將會(huì)回籠，對(duì)未來(lái)審慎樂觀，友
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聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10nm制程技術(shù)
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與kno
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)
聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示：「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可整合運(yùn)用我們的專業(yè)知識(shí)，團(tuán)隊(duì)研究合作與
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聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10nm制程技術(shù)
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。 聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與
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2013年大陸晶圓代工成長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)40.8億美元
從產(chǎn)能規(guī)?；蛭⒖s制程技術(shù)比較，中芯雖在大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)居于領(lǐng)先地位，但若與臺(tái)積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后的位置。對(duì)其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產(chǎn)能，制程技術(shù)亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)前景依舊樂觀
從產(chǎn)能規(guī)?；蛭⒖s制程技術(shù)比較，中芯雖在大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)居于領(lǐng)先地位，但若與臺(tái)積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后的位置。對(duì)其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產(chǎn)能，制程技術(shù)亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工成長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)40.8億美元
從產(chǎn)能規(guī)模或微縮制程技術(shù)比較，中芯雖在大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)居于領(lǐng)先地位，但若與臺(tái)積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后的位置。對(duì)其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產(chǎn)能，制程技術(shù)亦未跨入
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2013年大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)前景依舊樂觀
從產(chǎn)能規(guī)模或微縮制程技術(shù)比較，中芯雖在大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)居于領(lǐng)先地位，但若與臺(tái)積電、GlobalFoundries等全球前四大晶圓代工廠相較，中芯則處于遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后的位置。對(duì)其他只擁有6寸晶圓、8寸晶圓產(chǎn)能，制程技術(shù)亦未跨入
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英特爾2015年量產(chǎn)10nm 臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)壓力大
半導(dǎo)體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，其中眾所關(guān)注的10納米預(yù)計(jì)2015年量產(chǎn)，比原先規(guī)劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺(tái)積電的時(shí)間。臺(tái)積電的10納米預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，
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英特爾10nm計(jì)劃將提前 進(jìn)一步領(lǐng)先臺(tái)積電
半導(dǎo)體巨人英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，其中眾所關(guān)注的10納米預(yù)計(jì)2015年量產(chǎn)，比原先規(guī)劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺(tái)積電的時(shí)間。臺(tái)積電的10納米預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，
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臺(tái)積電10納米 競(jìng)爭(zhēng)壓力大
半導(dǎo)體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，其中眾所關(guān)注的10納米預(yù)計(jì)2015年量產(chǎn)，比原先規(guī)劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺(tái)積電(2330)的時(shí)間。臺(tái)積電的10納米預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導(dǎo)體業(yè)界人士
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