
半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈第2季淡季不淡,不僅12寸廠產(chǎn)能不足,8寸廠也意外產(chǎn)能吃緊!包括臺積電、聯(lián)電、世界先進等廠商,近期8寸廠訂單急速回流,初估5月產(chǎn)能利用率回升至9成以上,6月甚至出現(xiàn)產(chǎn)能不足缺口。 業(yè)者指出,英特
根據(jù)顧能(Gartner)統(tǒng)計,去年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場總值達346億美元,較2011年成長16.2%,臺積電因先進制程的成功,穩(wěn)居晶圓代工龍頭。 顧能表示,去年行動裝置半導(dǎo)體營收首度超越個人計算機(PC)與筆記本電腦(N
四月十八日,臺積電法說會上,董事長張忠謀預(yù)估第二季營收將比上一季增加一七.五%,遠高出外資分析師原本預(yù)估的六%至一○%。 臺積電總市值上看二兆八千一百二十八億元,占臺股權(quán)重達一二.七%,再度挑戰(zhàn)歷史新
國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)表示,2012年,行動裝置半導(dǎo)體營收首度超越PC與筆記型電腦的半導(dǎo)體營收,亦為行動應(yīng)用先進技術(shù)首度帶動晶圓代工市場營收的指標年,全年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場總值達346億美元,較
受惠手機芯片大廠高通釋單,加上主力客戶聯(lián)發(fā)科和戴樂格芯片同步報喜,IC封測大廠矽品春燕本季提前報到,預(yù)料明(30日)的法說會中,矽品董事長林文伯將釋出訂單提前一季引爆的佳音,且單季成長表現(xiàn)可望優(yōu)于日月光。
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
GlobalFoundries雖然飽受爭議,但經(jīng)??跉獠恍。F(xiàn)在又宣稱,代工產(chǎn)業(yè)的大廠商會越來越少,等到了1xnm時代將會只剩下區(qū)區(qū)四家。GF高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Subramani Kengeri透露,GF 14nm工藝將會整合3D FinFET晶體管技術(shù)
本周起電子大廠包括矽品、友達等法說會相繼接棒,華南永昌綜合證券自營部經(jīng)理方慕孺表示,市場預(yù)期矽品、友達可望釋出好消息,法人期待矽品第2季展望報佳音,友達部分則關(guān)注轉(zhuǎn)虧為盈的時程。 矽品法說會30日登場,
—— 比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年 晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩
產(chǎn)業(yè)評析:臺積電(2330)是晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭,也是行動裝置概念股、蘋果概念股。 看好理由:首季每股獲利超乎預(yù)期,第2季營收創(chuàng)下歷史新高,季增率16%至17.5%,超出市場預(yù)估的中高個位數(shù),毛利率高標值49.5%,九
根據(jù)國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner(顧能)發(fā)布的最終統(tǒng)計結(jié)果,2012年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場總值達346億美元,較2011年成長16.2%。雖然臺積電董事長張忠謀日前在法說會中預(yù)估,今年晶圓代工市場年成長率將上看10%,
GlobalFoundries雖然飽受爭議,但經(jīng)??跉獠恍。F(xiàn)在又宣稱,代工產(chǎn)業(yè)的大廠商會越來越少,等到了1xnm時代將會只剩下區(qū)區(qū)四家。GF高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Subramani Kengeri透露,GF 14nm工藝將會整合3D FinFET晶體管技術(shù)
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺,喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭,繼14納米XM明年量產(chǎn),10納米2015年推出,此進度比臺積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
臺積電Q2預(yù)測超預(yù)期LED照明加速啟動上周電子行業(yè)基本面信息較為正面,一是臺積電Q1業(yè)績及對Q2展望大超市場預(yù)期,同時CAPEX也有上調(diào),主要為智能機對中高端制程的芯片需求旺盛,另外,3月BB值達1.14創(chuàng)新高也佐證設(shè)備市
據(jù)國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner, Inc.(US-IT)發(fā)布最終統(tǒng)計結(jié)果,2012年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場總值達346億美元,較2011年成長16.2%。當中,臺積電(US-TSM)(2330-TW)因先進制程的成功而穩(wěn)居晶圓代工龍頭,營收年增17.9%
臺積電共同COO暨執(zhí)行副總蔣尚義日前表示,臺積電以前與英特爾“河水不犯井水”,但隨著英特爾開始搶臺積電的生意,臺積電將加速發(fā)展先進制程技術(shù),希望在10納米領(lǐng)域全面追趕上英特爾。 蔣尚義昨天出席清華大學(xué)執(zhí)行國
全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺灣積體電路制造(以下簡稱臺積電)公司將加強投資。2013年計劃將用于智能手機半導(dǎo)體的產(chǎn)能擴大3倍。全年設(shè)備投資最多將達到100億美元,有望創(chuàng)歷史新高。 臺積電將以臺灣南部的工廠為中心擴大生
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程,也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程,縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術(shù)差
臺積電共同營運長蔣尚義昨(22)日表示,臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時間確定縮短1年,即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程。為了滿足客戶需求,臺積電已決定加快研發(fā)腳步,&