
據(jù)臺灣媒體報道,手機芯片大廠聯(lián)發(fā)科為控制庫保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復下單(double booking)”的擔憂,為第二季訂單蒙上陰
臺積電(2330)研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義23日在日本舉行的臺積電先進技術主管高峰會上指出,40奈米良率問題獲得解決,將加速擴產(chǎn)進度,第1季40奈米產(chǎn)能已提升至8萬片,預計第4季產(chǎn)能可提升一倍至16萬片,占營收比重則挑
2月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,手機芯片大廠聯(lián)發(fā)科為控制庫保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復下單(doublebooking)”的擔憂,為第二
背景:2008年10月半導體大廠AMD與中東阿布達比先進技術投資公司(ATIC)合作,除接受來自ATIC的7億美元資金,讓經(jīng)營狀況獲得改善外,AMD更將半導體制造部門切割予以獨立,并與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業(yè)務的新公司
臺灣《中國時報》22日刊出社論《開放企業(yè)赴大陸投資別綁手綁腳》。社論說,在大陸成為全球成長性最高的經(jīng)濟體與市場之際,臺灣企業(yè)更不能缺席于此市場之外。臺當局年前的開放措施誠然值得肯定,但期待未來能有更具前
2月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,手機芯片大廠聯(lián)發(fā)科為控制庫保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復下單(double booking)”的擔憂,為第二
去年夏季,一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定:他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示,臺積電此番作出這種決定是要
李洵穎/臺北 臺積電在日本橫濱舉辦高階制程研討會,該公司新世代22奈米制程技術藍圖首次對外曝光。臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會中指出,臺積電已切入22奈米制程的研發(fā)作業(yè),計劃2012~2013年將可望進入試產(chǎn)
臺積電(2330)研發(fā)資深副總蔣尚義表示,,臺積28奈米低功率制程已在一月量產(chǎn);28奈米高速制程將在9月推出;12月則將提供結(jié)合高速與低功率制程的28奈米代工服務。
美國賽靈思(Xilinx)公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術。該公司計劃在28nm工藝FPGA方面,將總功耗較上代產(chǎn)品削減50%,同時將最大集成度增至原來的2倍。為此,該公司組合采用了以下三項技術。第一,基于high-k柵極
德商Dialog半導體與臺積電(TSMC)宣布,雙方正密切合作,為行動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程技術。 新的0.25微米高壓制程技術世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯
可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)
日本媒體日刊工業(yè)新聞24日報導,全球晶圓代工龍頭大廠臺積電(2330)計劃將采用40奈米(nm;包含40nm、45nm)制程的先端半導體產(chǎn)能于2010年Q4(10-12月)倍增至16萬片(以12吋晶圓換算)的規(guī)模。報導指出,2009年Q4臺積電40n
搶在今年農(nóng)歷春節(jié)前,政府給了國內(nèi)半導體廠商一份大禮,那就是經(jīng)濟部正式宣布有條件開放半導體廠西進大陸,晶圓代工廠得以透過參股或并購方式,登陸投資晶圓代工廠,但不開放新設。至于并購或參股大陸晶圓代工廠,將
據(jù)臺灣媒體報道,臺積電與德國Dialog半導體公司日前共同宣布,雙方正合作開發(fā)用于移動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片,發(fā)展BCD(Bipolar–CMOS-DMOS)制程技術,希望提高電源管理整合度,以滿足智能手機、電子書、筆記本電
據(jù)國外媒體報道,由于全球經(jīng)濟復蘇推動需求增長,而許多芯片公司由于價格壓力和投資障礙無法建設單獨的芯片工廠,亞洲外包芯片廠商預計今年業(yè)績將會大幅增長。 分析師預計,逐漸增長的外包訂單,尤其是來自日
領先業(yè)界的高整合創(chuàng)新電源管理半導體解決方案提供業(yè)者-德商Dialog半導體公司與TSMC 23日共同宣布,雙方正密切合作,為移動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術。此0.25微米高
臺灣集成電路公司今天與德商Dialog半導體公司宣布,合作開發(fā)高效能電源管理芯片的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)制程技術,讓行動產(chǎn)品更便利。 Dialog是領先業(yè)界的高整合創(chuàng)新電源管理半導體解決方案業(yè)者,這個0.25微
臺積電(2330)昨(23)日與德商Dialog半導體共同宣布,雙方將針對行動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片,量身打造BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)0.25微米高壓制程技術。該技術能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯片中,
可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)