
Axcell M29W和M29DW是高速單級(jí)芯片(SLC) NOR閃存存儲(chǔ)器,具有70-ns隨機(jī)存取時(shí)間,有能力支持60ns,主要用于嵌入式領(lǐng)域。這些最新增加的Axcell M29產(chǎn)品系列與現(xiàn)有產(chǎn)品架構(gòu)是引腳兼容,非常適合于包括汽車、消費(fèi)電子、通
數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)采用高速采樣和數(shù)字存儲(chǔ)作為其技術(shù)基礎(chǔ),具有對(duì)射頻和微波信號(hào)的存儲(chǔ)和再現(xiàn)能力,可實(shí)現(xiàn)對(duì)雷達(dá)設(shè)備性能的無(wú)線檢測(cè)。但DRFM系統(tǒng)模擬前端一直是保證系統(tǒng)高速高精度信號(hào)采集與回放的設(shè)計(jì)難點(diǎn)。本文以實(shí)際工程項(xiàng)目為背景,著重論述了在本項(xiàng)目中解決DRFM系統(tǒng)模擬前端設(shè)計(jì)中諸多難題的方法。
Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲(chǔ)器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有訪問(wèn)速度快、幾乎無(wú)限次的讀寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。該器
7月21日消息,由《創(chuàng)業(yè)邦》雜志主辦的Demo China活動(dòng)上海站今天在張江高科技園區(qū)開(kāi)賽,網(wǎng)易科技作為媒體合作伙伴進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)直播。 隆智半導(dǎo)體的主營(yíng)業(yè)務(wù)為閃存芯片,現(xiàn)場(chǎng)的投資家們對(duì)閃存芯片的價(jià)格、性能、毛利及市場(chǎng)
三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲(chǔ)器先進(jìn)制程,對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來(lái)說(shuō),又將面臨一次嚴(yán)峻的考驗(yàn)。 DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來(lái)看,很難靠一己之力對(duì)外籌資。也因此,包括韓國(guó)、日本等國(guó)政府
2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預(yù)估,將海力士的自有廠房與意法半導(dǎo)體在大陸合資的無(wú)錫廠一并計(jì)算,
聯(lián)電旗下設(shè)計(jì)服務(wù)廠智原科技昨(14)日發(fā)表適用于聯(lián)電90納米制程的低漏電存儲(chǔ)器解決方案,相較于一般存儲(chǔ)器,智原方案最高可以降低90%以上的漏電率,讓客戶的芯片面積有效的限縮到更理想范圍,一并滿足客戶對(duì)于耗電
市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零
爾必達(dá)(Elpida)與力晶在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合賽過(guò)程中,雙方關(guān)系讓外界感到撲朔迷離,尤其近期適逢傳出茂德與爾必達(dá)舊情重燃,雙方將成為DRAM代工伙伴的敏感時(shí)機(jī),爾必達(dá)卻宣布退出力晶董事會(huì),更引發(fā)外界揣測(cè)的聲浪,惟
日前,恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而
恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co.) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而幫助多功能
茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見(jiàn)日,茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,從65納米制程技術(shù)開(kāi)始,值得注意的是,茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束,為此三角關(guān)系埋下伏
1 引言 電子對(duì)抗的最終目的之一是破壞敵方的無(wú)線電通信,最直接有效的手段是采用通信干擾方式,擾亂對(duì)方的通信。而雷達(dá)干擾機(jī)是根據(jù)雷達(dá)的工作原理發(fā)射適當(dāng)?shù)母蓴_信號(hào)進(jìn)人雷達(dá)接收設(shè)備,利用雷達(dá)干擾設(shè)備破壞或
NXP公司,前身為飛利浦公司的芯片部門,正在研究專有的相變存儲(chǔ)器(PCM),該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。 他表示,“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個(gè)問(wèn)題是是否繼續(xù)生產(chǎn)?!?/p>