
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術(shù)生產(chǎn)的第一批存儲(chǔ)器產(chǎn)品,公司希望該技術(shù)能夠重塑計(jì)算器存儲(chǔ)器市場(chǎng),并讓自己從科技領(lǐng)域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
2017年3月13日,在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”,會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)異?;鸨?,全國各地的工程師匯聚一堂,共同見證汽車電子的過去,共謀汽車電子發(fā)展的未來。其中,ISSI技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理田步嚴(yán)在會(huì)上做
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè),3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會(huì)變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會(huì)更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
編按:這是第幾篇關(guān)于東芝出售的文章了,其核心就是不想把東芝賣給中國,怕技術(shù)外流中國,日本政府覺得美國是最適合的出售選擇。國芯當(dāng)自強(qiáng)呀,希望在未來不長(zhǎng)的時(shí)間里,中國的高精尖技術(shù)能和其他技術(shù)強(qiáng)國一樣強(qiáng)大。
日前日本雜志曾報(bào)導(dǎo),日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省干部表示,為了避免東芝(Toshiba)半導(dǎo)體技術(shù)外流到中國,因此希望東芝半導(dǎo)體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示,東
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲(chǔ)器廠商華邦電,7 日同時(shí)公布 2017 年 2 月份營(yíng)收,也宣布與德國工業(yè)自動(dòng)化解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西門子簽署客戶品質(zhì)合約,成為西門子的存儲(chǔ)器供應(yīng)商。
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
東芝為彌補(bǔ)核能設(shè)備事業(yè)大幅減損,終于愿意割愛視為核心的芯片事業(yè),也象征日本曾經(jīng)雄霸記憶芯片的時(shí)代,即將畫下句點(diǎn)。東芝原本只打算出售記憶芯片少數(shù)股價(jià),但在本周公布核能事業(yè)減損63億美元后,東芝社長(zhǎng)綱川智改口說,愿意出售主要股權(quán)甚至出售整個(gè)事業(yè),以補(bǔ)強(qiáng)東芝的財(cái)務(wù)。
近期,長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND Flash存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示,國內(nèi)廠商積極開展存儲(chǔ)芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,并取得了階段性進(jìn)展。政策支持之下,隨著技術(shù)等逐漸成熟,行業(yè)發(fā)展將迎來拐點(diǎn)。在此背景下,上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)。
當(dāng)前,伴隨著第五代移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)器的需求量迅速增加,存儲(chǔ)容量、存取速度、功耗、可靠性和使用壽命等指標(biāo)要求也越來越高。目前,平面型存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在經(jīng)歷了獎(jiǎng)金50年的發(fā)展后遭遇巨大挑戰(zhàn),無法延續(xù)摩爾定律和滿足下一步發(fā)展需求,存儲(chǔ)器的發(fā)展進(jìn)入轉(zhuǎn)型期。
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器是具有記憶功能的設(shè)備,它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲(chǔ)信息。
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動(dòng)下,存儲(chǔ)器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場(chǎng)份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨市場(chǎng)需求大而自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境,開展大容量存儲(chǔ)技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲(chǔ)器在降低成本的同時(shí)面臨單元間串?dāng)_加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲(chǔ)技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新,是發(fā)展下一代存儲(chǔ)器的主流思路。
在整個(gè)2016年至少有30家存儲(chǔ)廠商出現(xiàn)變動(dòng),要么被收購,要么就是消失掉了,這也顯示出存儲(chǔ)行業(yè)翻天覆地的變化。這里也帶大家回顧一番。
被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM),在2016年12月舉辦的國際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果,最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品,以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào),若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國3D NAND Flash有望彎道超車。
據(jù)報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
2016年DRAM市場(chǎng)情況可謂是“跌宕起伏”,上半年需求不振,持續(xù)跌價(jià),第三季后,在中國智慧行手機(jī)出貨多,筆電出貨回溫的前提下,DRAM的平均銷售單價(jià)開始大幅度上揚(yáng)。
通過觀察2016年全球半導(dǎo)體業(yè),可以看到如下跡象。
由于標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器價(jià)格一路看漲,使得2017年第一季服務(wù)器用存儲(chǔ)器模組價(jià)格也持續(xù)延燒,更帶動(dòng)服務(wù)器廠商備貨的動(dòng)能與需求。那么Intel、AMD、高通這些芯片大佬最近有什么新動(dòng)作呢?
近日工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),主要集中在存儲(chǔ)器測(cè)試方面。