存儲器
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基于LZW算法的數(shù)據(jù)無損壓縮硬件實現(xiàn)
當前數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)分為有損壓縮和無損壓縮，算術(shù)編碼、游程編碼、霍夫曼和LZW壓縮是傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)壓縮方法，屬于無損數(shù)據(jù)壓縮;而基于小波變換的數(shù)據(jù)壓縮和基于神經(jīng)網(wǎng)絡的編碼方
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新型非揮發(fā)性存儲器號稱速度是NAND千倍
英特爾(Intel)與美光科技(Micron)日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint，該種記憶體號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來的首個新記憶體類別，能徹底改造任何裝置、
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最具創(chuàng)新性的EEPROM存儲器
Atmel公司今日發(fā)布了業(yè)界最具創(chuàng)新性的單線EEPROM產(chǎn)品，這款產(chǎn)品僅需2只引腳，即1只數(shù)據(jù)引腳和1只接地引腳即可正常工作。本系列產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、可穿戴設備、耗材、電池和
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是德科技推出業(yè)界首款存儲器一致性測試解決方案
2015 年 8 月20日，北京——是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布推出B4661A 存儲器分析軟件，一款全新的軟件包，可與是德科技邏輯分析儀搭配使用。在DDR4、LPDDR4總線速度發(fā)生變化時，KeysightB4661A 存儲
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基于FPGA技術(shù)的存儲器設計及其應用
復雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設計中應用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲陣列等特點使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復雜
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Atmel推出全球最具創(chuàng)新性的雙引腳自供電串行EEPROM存儲器
Atmel推出全球最具創(chuàng)新性的雙引腳自供電串行EEPROM存儲器，主要面向物聯(lián)網(wǎng)、電池、耗材和纜線標識市場在創(chuàng)新寄生供電方案的支持下，新單線系列產(chǎn)品僅需1只數(shù)據(jù)引腳和1只接地
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利用西橋架構(gòu)有效管理多媒體手機數(shù)據(jù)流
如今的手機正逐漸成為融合多種技術(shù)的多功能設備。它們具有互聯(lián)網(wǎng)接入、Wi-Fi連接、一體化音樂回放、GPS導航、高質(zhì)量數(shù)碼相機、藍牙連接等功能，并且配備有標準的PC類接口，
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Atmel推出面向物聯(lián)網(wǎng)市場的全新串行EEPROM存儲器
Atmel公司近日發(fā)布了業(yè)界最具創(chuàng)新性的單線EEPROM產(chǎn)品，本系列產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、可穿戴設備、耗材、電池和纜線標識市場的理想之選。這款產(chǎn)品僅需2只引腳，即1只數(shù)據(jù)引腳和1只接地引腳即可正常工作。由于新器件產(chǎn)品
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基于Flash存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)設計
引 言Flash 存儲器( Flash Memory) 是一種高可靠性、高密度的固態(tài)存儲器件。其存儲方式是完全非易失性的，掉電后可以保存數(shù)據(jù);可以在線寫入，并可按頁連續(xù)字節(jié)寫入，存取速
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Atmel推出全球最具創(chuàng)新性的雙引腳自供電串行EEPROM存儲器 主要面向物聯(lián)網(wǎng)、電池、耗材和纜線標識市場
21ic訊 全球微控制器(MCU)及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者Atmel公司(NASDAQ代碼：ATML)今日發(fā)布了業(yè)界最具創(chuàng)新性的單線EEPROM產(chǎn)品，這款產(chǎn)品僅需2只引腳，即1只數(shù)據(jù)引腳和1
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一種新型非易失性存儲器的原理及應用
縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導地位，F(xiàn)RAM只有美國
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單片機入門學習篇
與其它的嵌入式系統(tǒng)相比，單片機的體積小，但是集成度高，具備較高的可靠性與控制功能;功耗低且采用低電壓，因此對便攜式產(chǎn)品的制造與生產(chǎn)十分有利;具備較好的擴展性與優(yōu)異的性能比，其應用范圍十分廣泛
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串并口F-RAMW系列存儲器
世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接
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TMS320C6678 存儲器訪問性能 （上）
摘要TMS320C6678 有8 個C66x 核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一個 64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM 接口可以支持8GB 外部擴展存儲器。存儲
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NAND Flash存儲器管理算法的設計及實現(xiàn)
O 引言Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設
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帶校準功能、耐伽瑪輻射的存儲器，杜絕醫(yī)用產(chǎn)品的重復濫用_
Maxim Integrated 推出耐伽瑪輻射的非易失(NV) 1-Wire®存儲器DS28E80，很容易實現(xiàn)醫(yī)用傳感器耗材的校準、監(jiān)測，并可有效控制一次性醫(yī)用產(chǎn)品的重復使用，避免潛在的健康風險。一次性醫(yī)用傳感器和耗材通常采用伽
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用FPGA器件提升物聯(lián)網(wǎng)和其它聯(lián)網(wǎng)設計的安全性
在現(xiàn)今日益趨向超連接的世界(hyper-connected world)中，如何保護新的設計避免被克隆、反向工程和/或篡改是一項重大挑戰(zhàn)。FPGA器件通過加入滿足器件級安全需求的特性，來幫助實現(xiàn)這些目標。日益增長的IoT安全需求物
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意法半導體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技術(shù)和半導體制造技術(shù)
這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設計更簡單中國，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronic
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新聞大爆炸：英特爾80億元并購威睿 意在CDMA領(lǐng)域圈地
目錄 1.百度拉手德三大汽車廠商，欲團購諾基亞Here地圖 2.高通Zeroth技術(shù)把機器學習的能力引入移動平臺 3.NASA開發(fā)出十旋翼無人機“閃電” 4.步摩托
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一損俱損，PC帶弱DRAM需求，1Q市值大降
個人電腦(PC)需求委靡不振，DRAM報價持續(xù)下滑，導致全球DRAM產(chǎn)值縮水，根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce統(tǒng)計，2015年第1季全球DRAM產(chǎn)值約為120億美元，較上季減少7.5%，龍頭廠三星電
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漫漫游之游
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