
受到大環(huán)境影響,今年封測(cè)廠商資本支出普遍較去年縮水,日月光、矽品、力成等八家上市柜封測(cè)廠今年資本支出縮水近200億元,和去年相比減幅逾26%。 不過(guò),日月光、矽品及力成等三大封測(cè)今年資本支出仍在百億元之上
存儲(chǔ)器封測(cè)大廠力成科技(6239)接單再傳捷報(bào),拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快閃存儲(chǔ)器封測(cè)大單!,加上原大客戶東芝加碼釋單,力成第4季營(yíng)收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、Ultrabook等
嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展突飛猛進(jìn),基于嵌入式處理技術(shù)的微控制器也得到深入發(fā)展。近日,德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器,可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力的新時(shí)代到來(lái)
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 ──電阻式RAM(RRAM),在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng);在此之前,堆疊式浮閘NAND閃存相對(duì)較具潛力,而且很可能會(huì)朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片發(fā)展,IMEC研究所存儲(chǔ)器研究專案總監(jiān)Laith
DRAM廠南科、華亞科、力晶第三季財(cái)報(bào)昨(19)日出爐,單季稅后凈損合計(jì)達(dá)256.48億元,前三季共虧損570.1億元。南科、華亞科前三季虧損創(chuàng)成立以來(lái)同期新高,南科第三季末每股凈值更「拉警報(bào)」,僅剩0.94元,將透過(guò)私募
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
晶圓制造服務(wù)公司宏力半導(dǎo)體與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布,雙方透過(guò)共享資源設(shè)計(jì)平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大合作范圍,開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案。力旺電子獨(dú)
惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱,該公司自2008年開始研發(fā),基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù),可望在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)投入市場(chǎng),甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計(jì)劃,也正和Hynix半
蘋果iPhone新機(jī)即將在10月4日亮相,存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成可望透過(guò)爾必達(dá)(Elpida)切進(jìn)相關(guān)供應(yīng)鏈。 業(yè)界人士指出,蘋果iPhone 新機(jī)可能會(huì)繼續(xù)內(nèi)建行動(dòng)存儲(chǔ)器(Mobile DRAM),沿用iPhone 4規(guī)格采用爾必達(dá)的行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲(chǔ)器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級(jí),但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒(méi)有升級(jí)DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲(chǔ)器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級(jí),但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒(méi)有升級(jí)DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,D
英特爾(Intel)大張旗鼓宣示Ultrabook系列產(chǎn)品,看在存儲(chǔ)器業(yè)者眼中是五味雜陳,雖然Ultrabook可直接焊上4GB的DRAM芯片,等于是強(qiáng)迫升級(jí),但這也代表Ultrabook里面多數(shù)都沒(méi)有升級(jí)DRAM模塊插槽,首當(dāng)其沖的是模塊廠,D
μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)進(jìn)一步提升其在近距離通信(NFC)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位,針對(duì)工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用擴(kuò)展意法半導(dǎo)體雙界面存儲(chǔ)器芯片的讀、寫功能以及數(shù)據(jù)傳輸功能。意法半導(dǎo)體的M24LR64無(wú)線存儲(chǔ)器可在應(yīng)
IC 封測(cè)廠矽格(6257)自結(jié)今年八月份合并營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣3.98億元,創(chuàng)今年次高,較上月增加2.0%,比較去年同期減少10.2%,累計(jì)2011年前八月之營(yíng)業(yè)額為新臺(tái)幣30.57億,比較去年同期減少7.6%。 矽格表示,目前歐美
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品,這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后,三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星2011年5月與
因只讀存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元只進(jìn)行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)時(shí)間保存,且在編程時(shí)需要流過(guò)mA級(jí)以上的電流,所以只讀存儲(chǔ)器編程時(shí)通常采用外加編程高壓,內(nèi)部的電荷泵。在設(shè)計(jì)此類電荷泵時(shí),擊穿電壓和體效應(yīng)的影響