
Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào):2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示,并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias™無(wú)線存儲(chǔ)
世界頂尖的低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron InternationalCorporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào):2L19)。Ramtron專
Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào):2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示,并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器等
日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后,日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德,根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo),爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商,希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過(guò),茂德指出,完全沒(méi)
日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后,日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德,根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo),爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商,希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過(guò),茂德指出,完全沒(méi)聽(tīng)
存儲(chǔ)器保護(hù)電路
256KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路
存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月),受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累,爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A,較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A
三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見(jiàn)面會(huì)時(shí)曾表示,DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌,價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。DRAM價(jià)格
美國(guó)芯成半導(dǎo)體(ISSI )日前宣布,已與錫恩微電子公司(Si En Integration Holdings Ltd)達(dá)成收購(gòu)協(xié)議,錫恩微電子是設(shè)在一家廈門,從事模擬和混合電路涉及的私營(yíng)公司。芯成半導(dǎo)體總部設(shè)在美國(guó)San Jose-based,專門
為解決傳統(tǒng)可視倒車?yán)走_(dá)視頻字符疊加器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,成本高昂等問(wèn)題,在可視倒車?yán)走_(dá)設(shè)計(jì)中采用視頻字符發(fā)生器芯片MAX7456。該芯片集成了所有用于產(chǎn)生用戶定義OSD,并將其插入視頻信號(hào)中所需的全部功能,僅需少量的外圍阻容元件即可正常工作。給出了以MAX7456為核心的可視倒車?yán)走_(dá)的軟、硬件實(shí)現(xiàn)方案及設(shè)計(jì)實(shí)例。該方案具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、符合人體視覺(jué)習(xí)慣的特點(diǎn)。經(jīng)實(shí)際裝車測(cè)試,按該方案設(shè)計(jì)的可視倒車?yán)走_(dá)視場(chǎng)清晰、提示字符醒目、工作可靠,可有效降低駕駛員倒車時(shí)的工作強(qiáng)度、減少倒車事故的發(fā)生。
瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái),似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開(kāi)發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問(wèn)世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack 存儲(chǔ)技術(shù)首見(jiàn)于2004年
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái),似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
據(jù)Tech Review報(bào)導(dǎo),IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開(kāi)發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問(wèn)世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack
摘 要:通過(guò)在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列器件中構(gòu)建軟核處理器(NIOSⅡ)來(lái)代替專用集成電路,并在NIOSⅡ中嵌入C程序,根據(jù)給定的規(guī)模,自動(dòng)實(shí)現(xiàn)了在不同規(guī)模下的各種設(shè)計(jì)參數(shù)的計(jì)算。實(shí)現(xiàn)了只需要輸入系統(tǒng)參數(shù),就能適用
基于FPGA的空間存儲(chǔ)器糾錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)研究
基于SOPC適用于不同規(guī)格LCOS的控制器設(shè)計(jì)
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤