
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲器如快閃存
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲器如快閃存
FutureHorizons的創(chuàng)始人及分析師MalcolmPenn認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)受2009年的金融危機的影響,到2010年耀眼的超過30%的增長,所以進入2011年將回歸到正常年景,增長6%。Penn在演講會上說,明年產(chǎn)業(yè)將回顧到正常增長,據(jù)
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研
隨著可攜式裝置功能益趨復(fù)雜多元,同時體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求,芯片線路設(shè)計也走向高階的3DIC,全球相關(guān)廠商間的3DIC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計,3DIC在手機應(yīng)用的產(chǎn)值將會在2015年增加到新臺幣1,100億
華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示,這次的
華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示,這次
1.引言 RFID(射頻識別)技術(shù)是從上世紀(jì)80 年代走向成熟的一項自動識別技術(shù),近年來發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛,許多正在應(yīng)用中的自動識別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi),但它們的工作原理、工作頻率、
“未來5年,IC設(shè)計業(yè)面臨的問題依然是做大做強。而做強必然是大到一定程度上才能實現(xiàn)的。做大是外延的擴張,做強是內(nèi)涵的增長。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進,代工廠也在通過一些資本的力量,基
“未來5年,IC設(shè)計業(yè)面臨的問題依然是做大做強。而做強必然是大到一定程度上才能實現(xiàn)的。做大是外延的擴張,做強是內(nèi)涵的增長。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進,代工廠也在通過一些資本的力量,基
日本愛發(fā)科(ULVAC)開發(fā)出了多室型成膜裝置“ENTRONTM-EX2 W300”。該裝置將在2010年12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展出,并從2010年11月開始受理訂單,從2011年4月開始銷售。ENTRONTM-EX2 W300以該公司濺射裝
O 引言 隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展,衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而,太空環(huán)境復(fù)雜多變,其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子,它們對運行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響
抗SEU存儲器的設(shè)計的FPGA實現(xiàn)
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應(yīng)用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼
11月上旬DRAM合約價再跌超過7%,雖然跌幅較10月大幅縮減,但仍擋不住DRAM市場嚴(yán)重供不于求的事實,雖然DRAM廠這次再度發(fā)動減產(chǎn)策略,但仍抵擋不住這波DRAM價格崩盤潮,主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多,加上目前終
O 引言 隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展,無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求,都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作,并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備,以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器
相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較