
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤(pán)上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤(pán)上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
FutureHorizons的創(chuàng)始人及分析師MalcolmPenn認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)受2009年的金融危機(jī)的影響,到2010年耀眼的超過(guò)30%的增長(zhǎng),所以進(jìn)入2011年將回歸到正常年景,增長(zhǎng)6%。Penn在演講會(huì)上說(shuō),明年產(chǎn)業(yè)將回顧到正常增長(zhǎng),據(jù)
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研
隨著可攜式裝置功能益趨復(fù)雜多元,同時(shí)體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求,芯片線路設(shè)計(jì)也走向高階的3DIC,全球相關(guān)廠商間的3DIC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計(jì),3DIC在手機(jī)應(yīng)用的產(chǎn)值將會(huì)在2015年增加到新臺(tái)幣1,100億
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次的
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次
1.引言 RFID(射頻識(shí)別)技術(shù)是從上世紀(jì)80 年代走向成熟的一項(xiàng)自動(dòng)識(shí)別技術(shù),近年來(lái)發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛,許多正在應(yīng)用中的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi),但它們的工作原理、工作頻率、
“未來(lái)5年,IC設(shè)計(jì)業(yè)面臨的問(wèn)題依然是做大做強(qiáng)。而做強(qiáng)必然是大到一定程度上才能實(shí)現(xiàn)的。做大是外延的擴(kuò)張,做強(qiáng)是內(nèi)涵的增長(zhǎng)。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進(jìn),代工廠也在通過(guò)一些資本的力量,基
“未來(lái)5年,IC設(shè)計(jì)業(yè)面臨的問(wèn)題依然是做大做強(qiáng)。而做強(qiáng)必然是大到一定程度上才能實(shí)現(xiàn)的。做大是外延的擴(kuò)張,做強(qiáng)是內(nèi)涵的增長(zhǎng)。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進(jìn),代工廠也在通過(guò)一些資本的力量,基
日本愛(ài)發(fā)科(ULVAC)開(kāi)發(fā)出了多室型成膜裝置“ENTRONTM-EX2 W300”。該裝置將在2010年12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展出,并從2010年11月開(kāi)始受理訂單,從2011年4月開(kāi)始銷(xiāo)售。ENTRONTM-EX2 W300以該公司濺射裝
O 引言 隨著我國(guó)航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展,衛(wèi)星的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而,太空環(huán)境復(fù)雜多變,其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子,它們對(duì)運(yùn)行于其中的電子器件會(huì)產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對(duì)電子器件的影響
抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn)
Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 和奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評(píng)測(cè)第三代數(shù)據(jù)豐富自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器評(píng)測(cè)套件在德國(guó)慕尼
11月上旬DRAM合約價(jià)再跌超過(guò)7%,雖然跌幅較10月大幅縮減,但仍擋不住DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供不于求的事實(shí),雖然DRAM廠這次再度發(fā)動(dòng)減產(chǎn)策略,但仍抵擋不住這波DRAM價(jià)格崩盤(pán)潮,主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多,加上目前終
O 引言 隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展,無(wú)論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求,都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動(dòng))下正常工作,并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備,以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器
相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較