[導讀]隨著可攜式裝置功能益趨復雜多元，同時體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求，芯片線路設計也走向高階的3DIC，全球相關廠商間的3DIC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計，3DIC在手機應用的產(chǎn)值將會在2015年增加到新臺幣1,100億
隨著可攜式裝置功能益趨復雜多元，同時體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求，芯片線路設計也走向高階的3DIC，全球相關廠商間的3DIC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計，3DIC在手機應用的產(chǎn)值將會在2015年增加到新臺幣1,100億元，屆時邏輯IC／存儲器堆疊模塊所占的產(chǎn)值將超過一半成主流。
DIGITIMESResearch表示，由于4C匯流逐漸普及下，網(wǎng)絡逐漸走向無線化，從上游云端運算和服務器，中間的WiMAX、4G等網(wǎng)絡通訊技術，到下游的智能型手機、平板計算機、電子書等各式各樣的手持裝置，未來10年即將形成另一兆元產(chǎn)業(yè)的新科技產(chǎn)業(yè)鏈和新商機。
4G通訊技術需要更高的頻寬，然而為了處理裝置上更多的功能，頻寬也成為瓶頸。3DIC關鍵技術的矽穿孔(TSV)制程將能使元件體積縮小35%，功耗降低50%，頻寬增加8倍，提振市場對3DIC的需求。
根據(jù)工研院IEK估算，2015年全球3DIC應用于手機的產(chǎn)值可達新臺幣1,100億元，其中又以邏輯IC／存儲器堆疊市場的規(guī)模最大。目前短期而言，3DIC以應用在影像傳感器(CIS)、微機電(MEMS)居多，中期將擴展至邏輯IC／存儲器系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊應用為主，該趨勢將在2014年顯現(xiàn)，并估計到2015年其產(chǎn)值就會超過所有3DIC應用的一半。
邏輯IC／存儲器SiP模塊采取直接堆疊，因而散熱、重布線、Pitch連接及制造成本仍是現(xiàn)階段的大問題，在上述問題尚未解決或技術未趨成熟時，采用矽介質(zhì)的2.5DIC就成為過渡期的方法。
為搶攻3DIC商機，各式的合作模式相繼出現(xiàn)，先有聯(lián)電、爾必達(Elpida)和力成等邏輯IC和記憶廠進行策略聯(lián)盟，后續(xù)尚有諾基亞(Nokia)和星科金朋(STATSChipPAC)合作開發(fā)邏輯IC／存儲器模塊。
各廠的策略聯(lián)盟可以避免供應鏈上責任歸屬不清的問題，增加系廠商采用3DIC的信心。惟自上游的芯片廠到后段的封測廠，由誰主導供應鏈整合皆可，但主導者必須具備整合供應鏈及取得系統(tǒng)廠訂單的能力。
DIGITIMESResearch表示，由于4C匯流逐漸普及下，網(wǎng)絡逐漸走向無線化，從上游云端運算和服務器，中間的WiMAX、4G等網(wǎng)絡通訊技術，到下游的智能型手機、平板計算機、電子書等各式各樣的手持裝置，未來10年即將形成另一兆元產(chǎn)業(yè)的新科技產(chǎn)業(yè)鏈和新商機。
4G通訊技術需要更高的頻寬，然而為了處理裝置上更多的功能，頻寬也成為瓶頸。3DIC關鍵技術的矽穿孔(TSV)制程將能使元件體積縮小35%，功耗降低50%，頻寬增加8倍，提振市場對3DIC的需求。
根據(jù)工研院IEK估算，2015年全球3DIC應用于手機的產(chǎn)值可達新臺幣1,100億元，其中又以邏輯IC／存儲器堆疊市場的規(guī)模最大。目前短期而言，3DIC以應用在影像傳感器(CIS)、微機電(MEMS)居多，中期將擴展至邏輯IC／存儲器系統(tǒng)級封裝(SiP)模塊應用為主，該趨勢將在2014年顯現(xiàn)，并估計到2015年其產(chǎn)值就會超過所有3DIC應用的一半。
邏輯IC／存儲器SiP模塊采取直接堆疊，因而散熱、重布線、Pitch連接及制造成本仍是現(xiàn)階段的大問題，在上述問題尚未解決或技術未趨成熟時，采用矽介質(zhì)的2.5DIC就成為過渡期的方法。
為搶攻3DIC商機，各式的合作模式相繼出現(xiàn)，先有聯(lián)電、爾必達(Elpida)和力成等邏輯IC和記憶廠進行策略聯(lián)盟，后續(xù)尚有諾基亞(Nokia)和星科金朋(STATSChipPAC)合作開發(fā)邏輯IC／存儲器模塊。
各廠的策略聯(lián)盟可以避免供應鏈上責任歸屬不清的問題，增加系廠商采用3DIC的信心。惟自上游的芯片廠到后段的封測廠，由誰主導供應鏈整合皆可，但主導者必須具備整合供應鏈及取得系統(tǒng)廠訂單的能力。
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