導(dǎo)通電阻

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604

21ic訊特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應(yīng)0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調(diào)整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開始工作的低導(dǎo)通電阻1A高速LDO電壓調(diào)整器XC6602的

線性電源
2012-01-31

LDO 半導(dǎo)體電壓調(diào)整器導(dǎo)通電阻
特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604

21ic訊特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應(yīng)0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調(diào)整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開始工作的低導(dǎo)通電阻1A高速LDO電壓調(diào)整器XC6602的

功率器件
2012-01-31

LDO 半導(dǎo)體電壓調(diào)整器導(dǎo)通電阻
大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到

線性電源
2011-12-26

大功率擊穿電壓 VDMOS 導(dǎo)通電阻
大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到

功率器件
2011-12-26

大功率擊穿電壓 VDMOS 導(dǎo)通電阻
開關(guān)電源的開關(guān)損耗

基于電感的開關(guān)電源（SM-PS）包含一個功率開關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計選擇MOSFET作開關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)具有相對較低的功耗。　　 MOSFET完全打開時的導(dǎo)

功率器件
2011-12-25

開關(guān)電源開關(guān)損耗 TIMES 導(dǎo)通電阻
大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)

線性電源
2011-12-17

大功率 BSP VDMOS 導(dǎo)通電阻
大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)

功率器件
2011-12-17

大功率 BSP VDMOS 導(dǎo)通電阻
Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率

21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率

功率器件
2011-11-26

封裝 MOSFET DIODES 導(dǎo)通電阻
Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL

21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率

功率器件
2011-11-26

MOSFET DM DIODES 導(dǎo)通電阻
Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M

功率器件
2011-10-17

Vishay 功率MOSFET SILICONIX 導(dǎo)通電阻
羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻

21ic訊羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝

模擬
2011-10-11

羅姆太陽能發(fā)電功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
羅姆推出導(dǎo)通電阻值Max0.5mΩ的跳線電阻器

21ic訊羅姆株式會社開發(fā)出導(dǎo)通電阻值降低到Max0.5mΩ、同時使額定電流大幅提高的超低阻值跳線電阻器“PMR跳線系列”。本產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣品（樣品價格：20日元/個），并于9月份起以月產(chǎn)1000萬個的

模擬
2011-10-11

羅姆電阻器電阻值導(dǎo)通電阻
羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻

21ic訊羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝

功率器件
2011-10-09

羅姆太陽能發(fā)電功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電

電源
2011-09-18

器件 Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電

功率器件
2011-09-18

器件 Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

21ic訊國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)

汽車電子
2011-09-14

器件 MOSFET BSP 導(dǎo)通電阻
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

21ic訊國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)

功率器件
2011-09-12

器件 MOSFET BSP 導(dǎo)通電阻
Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDK

功率器件
2011-08-15

Vishay 功率MOSFET SILICONIX 導(dǎo)通電阻
為便攜應(yīng)用選擇合適的低成本USB開關(guān)

USB已經(jīng)成為PC與外備進行通信的最通用標(biāo)準(zhǔn)。鍵盤、打印機、網(wǎng)絡(luò)攝像機、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、移動電話、MP3播放器、數(shù)碼相機和游戲機等設(shè)備都可以通過USB接口與PC連接起來。USB應(yīng)用廠商論壇(USB-IF)為USB設(shè)立了標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備必須通過嚴格的測試后才能獲得USB認證。

模擬
2011-07-11

USB 開關(guān) 電容導(dǎo)通電阻
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種

模擬
2011-07-11

器件電壓 MOSFET 導(dǎo)通電阻

首頁上一頁 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一頁尾頁

導(dǎo)通電阻

特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604

特瑞仕半導(dǎo)體推出LDO電壓調(diào)整器XC6603/XC6604

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

開關(guān)電源的開關(guān)損耗

大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究

大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究

Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率

Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL

Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET

羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻

羅姆推出導(dǎo)通電阻值Max0.5mΩ的跳線電阻器

羅姆推出34ｍΩ的低導(dǎo)通電阻

Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄

為便攜應(yīng)用選擇合適的低成本USB開關(guān)

IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻