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瑞薩電子推出低功耗P通道MOSFET
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管（MOSFET）系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級電池的充電控制開關和與
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特瑞仕半導體推出LDO電壓調整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開始工作的低導通電阻1A高速LDO電壓調整器XC6602的
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特瑞仕半導體推出LDO電壓調整器XC6603/XC6604
21ic訊 特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出對應0.5V 低輸入電壓的1A 高速LDO 電壓調整器XC6603/XC6604 系列產(chǎn)品。XC6603/XC6604系列產(chǎn)品是能從低電壓0.5V開始工作的低導通電阻1A高速LDO電壓調整器XC6602的
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大功率VDMOS(200V)的設計研究
功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現(xiàn)電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來，電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的設計研究
功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件，在微電子工藝基礎上實現(xiàn)電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來，電力MOSFET得到
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開關電源的開關損耗
基于電感的開關電源（SM-PS）包含一個功率開關，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關電源設計選擇MOSFET作開關（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。 MOSFET完全打開時的導
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大功率VDMOS(200 V)的設計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設計方法。對設計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數(shù)指標，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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大功率VDMOS(200 V)的設計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設計方法。對設計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數(shù)指標，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設計要求，如智能手機及平板計算機等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設計要求，如智能手機及平板計算機等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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羅姆推出34ｍΩ的低導通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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羅姆推出導通電阻值Max0.5mΩ的跳線電阻器
21ic訊 羅姆株式會社開發(fā)出導通電阻值降低到Max0.5mΩ、同時使額定電流大幅提高的超低阻值跳線電阻器“PMR跳線系列”。本產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣品（樣品價格：20日元/個），并于9月份起以月產(chǎn)1000萬個的
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羅姆推出34ｍΩ的低導通電阻
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導通電阻紀錄
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。新款SiB437EDK
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為便攜應用選擇合適的低成本USB開關
USB已經(jīng)成為PC與外備進行通信的最通用標準。鍵盤、打印機、網(wǎng)絡攝像機、數(shù)據(jù)存儲設備、移動電話、MP3播放器、數(shù)碼相機和游戲機等設備都可以通過USB接口與PC連接起來。USB應用廠商論壇(USB-IF)為USB設立了標準，設備必須通過嚴格的測試后才能獲得USB認證。
