導(dǎo)通電阻

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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET

英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號(hào)相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺(tái)www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。

儒卓力
2019-07-15

MOSFET 導(dǎo)通電阻 bic 通管殼
英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

英飛凌科技(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱英飛凌)近日參加在上海世博展覽館舉辦的2019年上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia 2019)及相關(guān)論壇會(huì)議。

英飛凌
2019-07-02

芯片技術(shù) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用導(dǎo)通電阻
從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用

功率器件
2018-09-06

igbt 電源技術(shù)解析功率mosfet MOSFET 導(dǎo)通電阻
10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法

功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。

功率器件
2018-04-19

電壓電源技術(shù)解析 MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，適用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更高的功率密度和效率。

半導(dǎo)體
2017-04-25

移動(dòng)設(shè)備 Vishay 導(dǎo)通電阻
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) (FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。

半導(dǎo)體
2017-02-10

通信導(dǎo)通電阻
OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150

功率器件
2016-10-19

optimos 電源新品反向恢復(fù)電荷導(dǎo)通電阻
兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

今天寫兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大

電源
2015-09-30

開關(guān) 電路設(shè)計(jì) BSP 導(dǎo)通電阻
兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

今天寫兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大

電源電路
2015-09-17

開關(guān) 電路設(shè)計(jì) BSP 導(dǎo)通電阻
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)

半導(dǎo)體
2015-09-07

BSP SIC MOSFET 導(dǎo)通電阻
利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

引言在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對(duì)瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。 LTC®4234 是一款針對(duì)熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案，其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個(gè)熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器集成在單個(gè)封裝中，以滿足小型化應(yīng)用的要求。對(duì) MOSFET 的安全工作區(qū)進(jìn)行了生產(chǎn)測(cè)試，并保證其能承受熱插拔應(yīng)用中的應(yīng)力。

模擬
2015-07-31

熱拔插導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適

功率器件
2015-01-23

Vishay 開關(guān)損耗電源新品 MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

21ic訊國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)

功率器件
2014-11-13

器件工業(yè)應(yīng)用 MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

21ic訊國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器 (LEV) 、直

功率器件
2014-10-28

工業(yè)應(yīng)用 RF MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay的SiZ340DT再度獲獎(jiǎng)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評(píng)獎(jiǎng)中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)等兩項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。

廠商動(dòng)態(tài)
2014-10-24

Vishay 電源 MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列具備極低導(dǎo)通電阻

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變

功率器件
2014-06-19

工業(yè)應(yīng)用 DIRECT MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

采用PowerPAK® SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1

功率器件
2014-04-29

Vishay 便攜電子 MOSFET 導(dǎo)通電阻
推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離

半導(dǎo)體
2014-04-24

器件工業(yè)應(yīng)用 MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、

功率器件
2014-04-24

工業(yè)應(yīng)用 STRONG MOSFET 導(dǎo)通電阻
IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列提供極低導(dǎo)通電阻

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低

半導(dǎo)體
2014-04-10

RF FET STRONG 導(dǎo)通電阻

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導(dǎo)通電阻

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET

英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，適用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

Vishay的SiZ340DT再度獲獎(jiǎng)

IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列具備極低導(dǎo)通電阻

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列提供極低導(dǎo)通電阻

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