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MAX303精密雙低導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)電路圖
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具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭產(chǎn)品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個部件集成于一體，從而簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。采
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具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭產(chǎn)品低 4 倍。TI TPS22924C 將至少 4 個部件集成于一體，從而簡化子系統(tǒng)負(fù)載管理。采
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA4
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA4
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業(yè)界最小的芯片級MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道S
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新型20V P溝道功率MOSFET （Vishay）
該器件在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
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為便攜式產(chǎn)品選擇合適的模擬開關(guān)
在便攜式產(chǎn)品設(shè)計中，一直以來，模擬開關(guān)主要作為音頻信號切換器使用。后來，隨著雙卡雙模手機的普及，模擬開關(guān)成了雙卡切換必備的選擇；最新的數(shù)字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關(guān)。那么選擇這些
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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主動“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸
全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強化散熱的LGA封裝中實現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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主動“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸
全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強化散熱的LGA封裝中實現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。
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便攜式產(chǎn)品中模擬開關(guān)的選擇要點
在便攜式產(chǎn)品設(shè)計中，一直以來，模擬開關(guān)主要作為音頻信號切換器使用。后來，隨著雙卡雙模手機的普及，模擬開關(guān)成了雙卡切換必備的選擇；最新的數(shù)字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關(guān)。那么選擇這些開關(guān)時需要注意哪些設(shè)計問題呢？
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請領(lǐng)好禮
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