導(dǎo)通電阻

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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V

半導(dǎo)體
2014-04-04

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
為便攜產(chǎn)品選擇合適的低成本USB開關(guān)

隨著通用串行總線(USB)在便攜或手持應(yīng)用中日趨流行，具有超低功耗的高質(zhì)量開關(guān)在實(shí)現(xiàn)這種連接解決方案方面充當(dāng)著重要角色。受消費(fèi)者的需求驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)人員需要不斷創(chuàng)新、加速

嵌入式硬件
2014-04-02

USB 開關(guān) 便攜產(chǎn)品導(dǎo)通電阻
Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20 V(12V VGS和

半導(dǎo)體
2014-04-01

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效

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2014-03-27

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小

功率器件
2014-03-27

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”

不僅實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻，還非常有助于智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備的小型化與高性能化21ic訊—日本知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備等各種要求小型和薄型的電子設(shè)備，開發(fā)出世界

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2014-03-26

元件晶體管 ROHM 導(dǎo)通電阻
ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”

~不僅實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻，還非常有助于智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備的小型化與高性能化~21ic訊日本知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備等各種

功率器件
2014-03-25

元件晶體管 ROHM 導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過(guò)AEC-Q1

功率器件
2014-03-04

MOSFET RF Vishay 導(dǎo)通電阻
Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)

功率器件
2014-02-07

MOSFET Vishay TRENCHFET 導(dǎo)通電阻
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V

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2014-01-22

MOSFET 壓降 Vishay 導(dǎo)通電阻
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動(dòng)計(jì)算21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低

功率器件
2014-01-22

MOSFET GEN Vishay 導(dǎo)通電阻
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動(dòng)計(jì)算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款

功率器件
2013-12-05

MOSFET GEN Vishay 導(dǎo)通電阻
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出

功率器件
2013-12-02

MOSFET GEN Vishay 導(dǎo)通電阻
SiC二極管通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成

半導(dǎo)體
2013-11-18

二極管 SIC CRM 導(dǎo)通電阻
德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命21ic訊日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。

功率器件
2013-11-11

MOSFET MT 導(dǎo)通電阻
東芝推出業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻負(fù)荷開關(guān)集成電路

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出內(nèi)嵌反向電流阻隔電路[1]的負(fù)荷開關(guān)集成電路，該集成電路提供業(yè)內(nèi)最低的[3]導(dǎo)通電阻，即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機(jī)、平板電腦、超極本(Ultrabo

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2013-10-09

集成電路開關(guān) 東芝導(dǎo)通電阻
東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

21ic訊低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失東芝公司宣布通過(guò)“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)

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2013-08-30

東芝 MOSFET 低壓導(dǎo)通電阻
東芝推出650V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列

實(shí)現(xiàn)頂級(jí)1低導(dǎo)通電阻性能東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W&rdq

功率器件
2013-07-22

東芝 MOSFET RATIO 導(dǎo)通電阻
東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)最近為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖低導(dǎo)通電阻和高速交換性能。主要功能1

通信技術(shù)
2013-07-18

基站東芝功率MOSFET 導(dǎo)通電阻
東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過(guò)“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用

功率器件
2013-07-12

東芝 MOSFET 低壓導(dǎo)通電阻

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導(dǎo)通電阻

Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET

為便攜產(chǎn)品選擇合適的低成本USB開關(guān)

Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”

ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”

Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

SiC二極管通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

東芝推出業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻負(fù)荷開關(guān)集成電路

東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

東芝推出650V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列

東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

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