三洋電機采用98μm厚的薄型Si單元的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)太陽能電池,實現(xiàn)了23.7%的轉(zhuǎn)換效率。該公司2009年9月發(fā)布的22.8%的轉(zhuǎn)換效率(厚度為98μm)又提高了0.9個百分點。超過了該公
上世紀九十年代起,我國開始推進信息化建設,各行各業(yè)根據(jù)自己的業(yè)務特點推行信息化建設和應用。綜合布線在大樓建設時同步建設的概念,在本世紀初已經(jīng)被人們廣泛接受并付諸于實踐中。作為網(wǎng)絡建設的基礎平臺,如何能
日前在深圳出現(xiàn)了一種針對酒店的物聯(lián)網(wǎng)客房控制系統(tǒng),引發(fā)了全面關注。物聯(lián)網(wǎng)技術是RFID加傳感器來實現(xiàn)的一種物與物之間的泛在聯(lián)系。這一系統(tǒng)當之無愧的屬于最新一次技術浪潮。物聯(lián)網(wǎng)技術里的RFID技術也就是無線通訊
水平線纜管理器主要應用于容納機柜內(nèi)部相鄰單元設備之間的線纜連接,有1U和2U、單面和雙面、有蓋和無蓋等不同機構(gòu)組合。線纜可以從左右、上下出入,有些還具備前后出入的能力。垂直線纜管理器分機柜內(nèi)和機架外兩種,
Protel 99 SE是Altium公司最為代表性和普遍性的一款功能強大、深受電路設計者歡迎使用的EDA設計系統(tǒng)軟件。它是將電路原理圖設計、PCB板圖設計、電路仿真和PLD設計等多個實用工具軟件組合后構(gòu)成的EDA工作平臺,為用戶
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)
1.引言 循環(huán)經(jīng)濟(cyclic economy)即物質(zhì)閉環(huán)流動型經(jīng)濟,是指在人、自然資源和科學技術的大系統(tǒng)內(nèi),在資源投入、企業(yè)生產(chǎn)、產(chǎn)品消費及其廢棄的全過程中,把傳統(tǒng)的依賴資源消耗的線形增長的經(jīng)濟,轉(zhuǎn)變?yōu)橐揽可鷳B(tài)型
法國元件調(diào)查公司YoLEDeveloppement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師JeromeBaron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板
半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等,潛藏著新的商機。中端領域的技術之所以
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導體封裝領域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域,具有代表性的技術包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通
隨著當前SOHO、宅女、宅男的團隊不斷壯大,沒人上街,不等于沒人逛街。從早先的易趣、淘寶,發(fā)展到現(xiàn)在的諸侯并起,當當網(wǎng)、卓越亞馬遜、京東商城、凡客誠品、紅孩子,再到傳統(tǒng)商超企業(yè)觸網(wǎng)。電子商務企業(yè),爭先恐后
本文將著重在討論綜合布線系統(tǒng)在醫(yī)院智能化、信息化系統(tǒng)建設中的一些經(jīng)驗和教訓,通過對此提出的一些看法,或許能夠給本文讀者一些啟發(fā)和幫助。
美國應用材料(AMAT)發(fā)布了可形成適用于22nm~14nm邏輯IC的低介電率(low-k)層間絕緣膜的兩款制造裝置。分別是成膜裝置“Producer Black Diamond 3”和紫外線(UV)固化裝置“Producer Nanocure 3”。 由發(fā)
1 引 言 雷達、聲納探測和超聲成像等系統(tǒng)中為了提高對目標變化實時跟蹤和測量,就必須盡量縮短信號處理的時間,過長的運算處理時間會對水下目標的探測性能產(chǎn)生較大的影響。聲納的檢測能力就會迅速下降,以至完全失
一種自適應波束形成算法實現(xiàn)
隨著寬帶互聯(lián)網(wǎng)的入戶,許多以前只能想象的情景都將得到實現(xiàn)。許多廠家都在致力于開發(fā)各種家用信息產(chǎn)品,加之我國入世后國外產(chǎn)品的不斷涌入,可以預計在未來三至五年,這些智能家居應用會逐漸的走入家庭,安裝寬帶智
轉(zhuǎn)換器在新設計型態(tài)改進下,大多模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器多變成數(shù)字式。即使如此改變,電路布線設計并無改變,本文將介紹使用連續(xù)逼近緩存器型與Sigma-Delta型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之布線方式?! ∽畛跄M數(shù)字轉(zhuǎn)換器在芯片中大部份