中國(guó)特色I(xiàn)C產(chǎn)業(yè)30年發(fā)展之路

改革開(kāi)放30年來(lái)，電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來(lái)了盎然生機(jī)，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒(méi)有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，沒(méi)有規(guī)?；笊a(chǎn)的建設(shè)，

改革開(kāi)放30年 看中國(guó)特色I(xiàn)C產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路

改革開(kāi)放30年來(lái)，電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來(lái)了盎然生機(jī)，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒(méi)有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，沒(méi)有規(guī)?；笊a(chǎn)的建

集成電路:產(chǎn)業(yè)鏈群體突破

瞄準(zhǔn)手機(jī)電視市場(chǎng) 臺(tái)積電推0.13微米高壓制程

看準(zhǔn)行動(dòng)電視高分辨率小尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)，晶圓代工龍頭臺(tái)積電5日宣布推出新的0.13微米高壓制程，分別是1.5／6／32伏特高電壓制程。臺(tái)積電不僅積極布局40/45納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，對(duì)于已相對(duì)成熟的0.13微米制程技

華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝取得進(jìn)一步成果

純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）日前宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計(jì)公司的合作順利進(jìn)行?；谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝（“EF130”）生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測(cè)試

首個(gè)450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)將于下月商定出臺(tái)

SEMI將于11月10-13日召開(kāi)會(huì)議，聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過(guò)幾輪爭(zhēng)議之后，芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”，將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米，也就

半導(dǎo)體業(yè)界將推出450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)(SEMI)將于11月10-13日召開(kāi)會(huì)議，聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過(guò)幾輪爭(zhēng)議之后，芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”

首個(gè)450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)將于下月商定

SEMI將于11月10-13日召開(kāi)會(huì)議，聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。 在經(jīng)過(guò)幾輪爭(zhēng)議之后，芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”，將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米，也

首個(gè)450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)將于下月商定

中芯國(guó)際0.11微米CIS工進(jìn)入試產(chǎn)

雖然全球宏觀經(jīng)濟(jì)不景氣，中芯國(guó)際正借開(kāi)發(fā)新技術(shù)芯片彌補(bǔ)損失，以期實(shí)現(xiàn)第3季度營(yíng)收增長(zhǎng)5-8%。 中芯國(guó)際日前宣布，已成功開(kāi)發(fā)0.11微米CMOS圖像感測(cè)器(CIS)工藝技術(shù)，并已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，未來(lái)幾個(gè)月后也將

中芯國(guó)際開(kāi)發(fā)出0.11微米CIS工藝技術(shù)

北京時(shí)間10月23日消息，中芯國(guó)際(NYSE: SMI)今日宣布成功開(kāi)發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器(CIS)工藝技術(shù)，在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪聲和相對(duì)照度都將得到增強(qiáng)。中芯國(guó)際在中國(guó)提供完整的 CIS 代工服務(wù)