中國(guó)特色I(xiàn)C產(chǎn)業(yè)30年發(fā)展之路
時(shí)間：2009-01-04 08:33:34
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[導(dǎo)讀]改革開(kāi)放30年來(lái)，電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來(lái)了盎然生機(jī)，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒(méi)有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，沒(méi)有規(guī)?；笊a(chǎn)的建設(shè)，
改革開(kāi)放30年來(lái)，電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來(lái)了盎然生機(jī)，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒(méi)有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，沒(méi)有規(guī)模化大生產(chǎn)的建設(shè)，沒(méi)有創(chuàng)新體制和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的提升，電子信息制造業(yè)甚至整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)大廈都將缺失賴(lài)以聳立的地基。30年來(lái)，電子信息產(chǎn)業(yè)及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展印證了這一點(diǎn)。
我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)是從1956年起步的。20世紀(jì)50年代中期，我國(guó)開(kāi)始大規(guī)模的經(jīng)濟(jì)建設(shè)。世界上剛剛興起的半導(dǎo)體技術(shù)引起科技專(zhuān)家的關(guān)注，受到了黨和國(guó)家的重視。1956年，周恩來(lái)總理親自主持制定了《1956年至1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃綱要》(簡(jiǎn)稱(chēng)十二年科學(xué)規(guī)劃)，其中把電子計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、超高頻、電子儀器和遙控等電子技術(shù)列為國(guó)家重點(diǎn)科技技術(shù)項(xiàng)目。
1956年11月，在半導(dǎo)體專(zhuān)家王守武、林蘭英和武爾禎領(lǐng)導(dǎo)下，中國(guó)第一只鍺合金晶體管在北京華北無(wú)線電元件研究所誕生。
在“二五”計(jì)劃(1958年-1962年)和三年國(guó)民經(jīng)濟(jì)調(diào)整時(shí)期(1963年-1965年)，根據(jù)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)的需要以及中央“調(diào)整、鞏固、充實(shí)、提高”的方針，在電子工業(yè)發(fā)展比較順利的同時(shí)，針對(duì)電子工業(yè)的缺門(mén)和薄弱環(huán)節(jié)，國(guó)家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元，進(jìn)行了較大規(guī)模的基本建設(shè)和技術(shù)改造，調(diào)整了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，建成了9個(gè)重點(diǎn)電子研究所，大大增強(qiáng)了設(shè)計(jì)研制能力，取得了不少科技成果。例如：1958年開(kāi)始計(jì)算機(jī)的研制，并于1959年由中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所研制出我國(guó)第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)——— 104型通用電子計(jì)算機(jī)，字長(zhǎng)40位，每秒運(yùn)算1萬(wàn)次。1965年，河北半導(dǎo)體研究所研制成功并定型我國(guó)第一塊集成電路(DTL門(mén)電路)，次年又研制并定型了線性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠同中科院上海冶金研究所合作，也在1965年試制出PN結(jié)隔離的DTL門(mén)電路。1968年，采用這種國(guó)產(chǎn)DTL型數(shù)字電路研制成功中國(guó)第一臺(tái)第三代電子計(jì)算機(jī)。
到了1970年，國(guó)內(nèi)集成電路的年產(chǎn)量已經(jīng)超過(guò)400萬(wàn)塊，產(chǎn)品門(mén)類(lèi)主要是TTL（晶體管-晶體管邏輯電路）系列小規(guī)模電路。20世紀(jì)70年代初，全國(guó)建成集成電路生產(chǎn)企業(yè)40余家。中國(guó)第一塊大規(guī)模集成電路(LSI)PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）型電路于1972年研制成功。從小規(guī)模集成電路(SSI)到大規(guī)模集成電路的研制，我國(guó)僅用了7年時(shí)間。在此之后，又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路、CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路。
在國(guó)家改革開(kāi)放政策的推動(dòng)下，電子工業(yè)在“六五”計(jì)劃期間對(duì)集成電路大生產(chǎn)進(jìn)行了有益的探索。1982年10月，國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)對(duì)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了中國(guó)集成電路發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行改造。1983年我國(guó)提出“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”。其中，“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江，“北方基地”主要指北京、天津和沈陽(yáng)，“一個(gè)點(diǎn)”指西安。江蘇無(wú)錫742廠(江南無(wú)線電器材廠)1980年引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)用集成電路生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)雙極型消費(fèi)電子類(lèi)線性電路，1984年產(chǎn)量達(dá)3000萬(wàn)塊，并于1986年5月研制成功64KDRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這一時(shí)期，國(guó)內(nèi)主要集成電路工廠有30余家，技術(shù)人員達(dá)5000人左右，1985年集成電路年產(chǎn)量達(dá)5300萬(wàn)塊。這一時(shí)期研制成功的新產(chǎn)品還有16KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、4KB靜態(tài)存儲(chǔ)器、高速1KB靜態(tài)存儲(chǔ)器等大規(guī)模集成電路。
“七五”計(jì)劃期間的重大舉措是實(shí)施“531”工藝技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略，即在此期間普及推廣5微米技術(shù)，重點(diǎn)企業(yè)掌握3微米技術(shù)，開(kāi)展1微米技術(shù)的科技攻關(guān)，并重點(diǎn)部署了無(wú)錫微電子工程項(xiàng)目建設(shè)。其中包括建設(shè)2微米-3微米大生產(chǎn)線、制板和科研中心。2微米-3微米大生產(chǎn)線1988年開(kāi)工，1993年投入大規(guī)模生產(chǎn)。
在“八五”期間建成的華晶集團(tuán)公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導(dǎo)體公司和首鋼日電電子有限公司等5個(gè)主干企業(yè)，對(duì)振興中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了重要影響。至此，我國(guó)從事IC生產(chǎn)的主要工廠有15個(gè)，從事IC研究和設(shè)計(jì)的單位有25個(gè)，初步形成了集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，從業(yè)人員達(dá)3.5萬(wàn)人，其中技術(shù)人員1萬(wàn)人。
1995年我國(guó)集成電路年產(chǎn)量近18億塊。但是，我國(guó)集成電路的年產(chǎn)量在全球市場(chǎng)中的比例還不到1%，同國(guó)際主流水平的差距更大了。
為了滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)需要，縮小同國(guó)際水平的差距，國(guó)家決定先后啟動(dòng)“908工程”和“909工程”。
“908工程”0.8微米-1微米6英寸生產(chǎn)線，從朗訊科技公司引進(jìn)，具備月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力，1995年動(dòng)工，1998年1月驗(yàn)收。
“909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產(chǎn)線，從日本NEC公司引進(jìn)，投資100億元，1996年4月動(dòng)工，1999年2月投產(chǎn)，技術(shù)檔次從原計(jì)劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米，生產(chǎn)的64兆、128兆SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器達(dá)到當(dāng)時(shí)的國(guó)際主流水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)集成電路大生產(chǎn)技術(shù)邁進(jìn)8英寸、深亞微米的國(guó)際水平。
由此可以看出，在國(guó)家大力推動(dòng)集成電路發(fā)展有關(guān)政策的指導(dǎo)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個(gè)快速成長(zhǎng)的新時(shí)期，大量資金的投入是催生快速成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?nbsp;
據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2000年-2007年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投入資金多達(dá)290億美元，是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，技術(shù)水平顯著提高，年均增長(zhǎng)率達(dá)到30%左右。2007年集成電路產(chǎn)量達(dá)到411.6億塊，銷(xiāo)售額達(dá)1251億元。
這些發(fā)展和成就，令業(yè)界人士振奮，但我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)同國(guó)際主流水平的差距仍然很大，投資力度不大仍然是制約我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的瓶頸。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)期盼籌措更多的資金，節(jié)節(jié)推進(jìn)規(guī)?；笊a(chǎn)，進(jìn)一步完善創(chuàng)新體制，研發(fā)更多擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品，在推進(jìn)信息化和工業(yè)化融合的大潮中，走出一條有中國(guó)特色的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路，在整個(gè)價(jià)值鏈中體現(xiàn)自己不可或缺的價(jià)值。 [!--empirenews.page--]
借鑒微軟“黑屏”計(jì)劃事件的警示，我國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)家和信息安全專(zhuān)家繼續(xù)思考著電子系統(tǒng)產(chǎn)品和互聯(lián)網(wǎng)的信息安全的問(wèn)題，思考著“后門(mén)”的安全隱患問(wèn)題。
我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)是從1956年起步的。20世紀(jì)50年代中期，我國(guó)開(kāi)始大規(guī)模的經(jīng)濟(jì)建設(shè)。世界上剛剛興起的半導(dǎo)體技術(shù)引起科技專(zhuān)家的關(guān)注，受到了黨和國(guó)家的重視。1956年，周恩來(lái)總理親自主持制定了《1956年至1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃綱要》(簡(jiǎn)稱(chēng)十二年科學(xué)規(guī)劃)，其中把電子計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、超高頻、電子儀器和遙控等電子技術(shù)列為國(guó)家重點(diǎn)科技技術(shù)項(xiàng)目。
1956年11月，在半導(dǎo)體專(zhuān)家王守武、林蘭英和武爾禎領(lǐng)導(dǎo)下，中國(guó)第一只鍺合金晶體管在北京華北無(wú)線電元件研究所誕生。
在“二五”計(jì)劃(1958年-1962年)和三年國(guó)民經(jīng)濟(jì)調(diào)整時(shí)期(1963年-1965年)，根據(jù)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)的需要以及中央“調(diào)整、鞏固、充實(shí)、提高”的方針，在電子工業(yè)發(fā)展比較順利的同時(shí)，針對(duì)電子工業(yè)的缺門(mén)和薄弱環(huán)節(jié)，國(guó)家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元，進(jìn)行了較大規(guī)模的基本建設(shè)和技術(shù)改造，調(diào)整了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，建成了9個(gè)重點(diǎn)電子研究所，大大增強(qiáng)了設(shè)計(jì)研制能力，取得了不少科技成果。例如：1958年開(kāi)始計(jì)算機(jī)的研制，并于1959年由中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所研制出我國(guó)第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)——— 104型通用電子計(jì)算機(jī)，字長(zhǎng)40位，每秒運(yùn)算1萬(wàn)次。1965年，河北半導(dǎo)體研究所研制成功并定型我國(guó)第一塊集成電路(DTL門(mén)電路)，次年又研制并定型了線性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠同中科院上海冶金研究所合作，也在1965年試制出PN結(jié)隔離的DTL門(mén)電路。1968年，采用這種國(guó)產(chǎn)DTL型數(shù)字電路研制成功中國(guó)第一臺(tái)第三代電子計(jì)算機(jī)。
到了1970年，國(guó)內(nèi)集成電路的年產(chǎn)量已經(jīng)超過(guò)400萬(wàn)塊，產(chǎn)品門(mén)類(lèi)主要是TTL（晶體管-晶體管邏輯電路）系列小規(guī)模電路。20世紀(jì)70年代初，全國(guó)建成集成電路生產(chǎn)企業(yè)40余家。中國(guó)第一塊大規(guī)模集成電路(LSI)PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）型電路于1972年研制成功。從小規(guī)模集成電路(SSI)到大規(guī)模集成電路的研制，我國(guó)僅用了7年時(shí)間。在此之后，又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路、CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路。
在國(guó)家改革開(kāi)放政策的推動(dòng)下，電子工業(yè)在“六五”計(jì)劃期間對(duì)集成電路大生產(chǎn)進(jìn)行了有益的探索。1982年10月，國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)對(duì)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了中國(guó)集成電路發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行改造。1983年我國(guó)提出“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”。其中，“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江，“北方基地”主要指北京、天津和沈陽(yáng)，“一個(gè)點(diǎn)”指西安。江蘇無(wú)錫742廠(江南無(wú)線電器材廠)1980年引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)用集成電路生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)雙極型消費(fèi)電子類(lèi)線性電路，1984年產(chǎn)量達(dá)3000萬(wàn)塊，并于1986年5月研制成功64KDRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這一時(shí)期，國(guó)內(nèi)主要集成電路工廠有30余家，技術(shù)人員達(dá)5000人左右，1985年集成電路年產(chǎn)量達(dá)5300萬(wàn)塊。這一時(shí)期研制成功的新產(chǎn)品還有16KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、4KB靜態(tài)存儲(chǔ)器、高速1KB靜態(tài)存儲(chǔ)器等大規(guī)模集成電路。
“七五”計(jì)劃期間的重大舉措是實(shí)施“531”工藝技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略，即在此期間普及推廣5微米技術(shù)，重點(diǎn)企業(yè)掌握3微米技術(shù)，開(kāi)展1微米技術(shù)的科技攻關(guān)，并重點(diǎn)部署了無(wú)錫微電子工程項(xiàng)目建設(shè)。其中包括建設(shè)2微米-3微米大生產(chǎn)線、制板和科研中心。2微米-3微米大生產(chǎn)線1988年開(kāi)工，1993年投入大規(guī)模生產(chǎn)。
在“八五”期間建成的華晶集團(tuán)公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導(dǎo)體公司和首鋼日電電子有限公司等5個(gè)主干企業(yè)，對(duì)振興中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了重要影響。至此，我國(guó)從事IC生產(chǎn)的主要工廠有15個(gè)，從事IC研究和設(shè)計(jì)的單位有25個(gè)，初步形成了集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，從業(yè)人員達(dá)3.5萬(wàn)人，其中技術(shù)人員1萬(wàn)人。
1995年我國(guó)集成電路年產(chǎn)量近18億塊。但是，我國(guó)集成電路的年產(chǎn)量在全球市場(chǎng)中的比例還不到1%，同國(guó)際主流水平的差距更大了。
為了滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)需要，縮小同國(guó)際水平的差距，國(guó)家決定先后啟動(dòng)“908工程”和“909工程”。
“908工程”0.8微米-1微米6英寸生產(chǎn)線，從朗訊科技公司引進(jìn)，具備月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力，1995年動(dòng)工，1998年1月驗(yàn)收。
“909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產(chǎn)線，從日本NEC公司引進(jìn)，投資100億元，1996年4月動(dòng)工，1999年2月投產(chǎn)，技術(shù)檔次從原計(jì)劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米，生產(chǎn)的64兆、128兆SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器達(dá)到當(dāng)時(shí)的國(guó)際主流水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)集成電路大生產(chǎn)技術(shù)邁進(jìn)8英寸、深亞微米的國(guó)際水平。
由此可以看出，在國(guó)家大力推動(dòng)集成電路發(fā)展有關(guān)政策的指導(dǎo)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個(gè)快速成長(zhǎng)的新時(shí)期，大量資金的投入是催生快速成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?nbsp;
據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2000年-2007年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投入資金多達(dá)290億美元，是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，技術(shù)水平顯著提高，年均增長(zhǎng)率達(dá)到30%左右。2007年集成電路產(chǎn)量達(dá)到411.6億塊，銷(xiāo)售額達(dá)1251億元。
這些發(fā)展和成就，令業(yè)界人士振奮，但我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)同國(guó)際主流水平的差距仍然很大，投資力度不大仍然是制約我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的瓶頸。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)期盼籌措更多的資金，節(jié)節(jié)推進(jìn)規(guī)?；笊a(chǎn)，進(jìn)一步完善創(chuàng)新體制，研發(fā)更多擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品，在推進(jìn)信息化和工業(yè)化融合的大潮中，走出一條有中國(guó)特色的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路，在整個(gè)價(jià)值鏈中體現(xiàn)自己不可或缺的價(jià)值。 [!--empirenews.page--]
借鑒微軟“黑屏”計(jì)劃事件的警示，我國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)家和信息安全專(zhuān)家繼續(xù)思考著電子系統(tǒng)產(chǎn)品和互聯(lián)網(wǎng)的信息安全的問(wèn)題，思考著“后門(mén)”的安全隱患問(wèn)題。
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關(guān)鍵字： 溫控 精密儀器 半導(dǎo)體制造 BSP要問(wèn)機(jī)器人公司哪家強(qiáng)，波士頓動(dòng)力絕對(duì)是其中的佼佼者。近來(lái)年該公司在機(jī)器人研發(fā)方面獲得的一些成果令人印象深刻，比如其開(kāi)發(fā)的機(jī)器人會(huì)后空翻，自主爬樓梯等。這不，波士頓動(dòng)力又發(fā)布了其機(jī)器人組團(tuán)跳男團(tuán)舞的新視頻，表演的機(jī)器人包括...
關(guān)鍵字： 機(jī)器人 BSP 工業(yè)機(jī)器人 現(xiàn)代汽車(chē)
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